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Productos que cumplen el criterio de la búsqueda
S/4.0
Modelo: GT30F126
Tipo: IGBT
Polaridad de transistor: N
Pc - Máxima potencia disipada: 18 W
Vce - Ten..
S/4.0
S/8.5
DESCRIPCIÓN
La serie H11C consta de un diodo emisor de infrarrojos de arseniuro de galio acop..
S/8.5
S/1.5
HEF4027B es un flip-flop JK activado por flanco positivo dual que cuenta con entradas directas indep..
S/1.5
S/46.0
CARACTERISTICAS
El sensor de proximidad Inductivo LJC30A3-H-Z/AX permite detectar objetos met&aacu..
S/46.0
S/12.0
Descripcion:
el integrado IR es un controlador de alta velocidad y alto voltaje de mosfet e igbt ..
S/12.0
S/9.0
El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxi..
S/9.0
S/3.0
Caracteristicas:
Modelo: J13007
encapsulado: TO-220
voltaje colector base:700V
voltaje colector emi..
S/3.0
S/19.0
JDY-33 es un clásico Bluetooth + BLE de modo dual Bluetooth, puede comunicarse con computadoras habi..
S/19.0
S/2.0
Características:
- Voltaje inverso maximo: 1000V
- Voltaje RMS: 700V
- Corriente maxima de tr..
S/2.0
S/45.0
CARACTERISTICAS:
Estos kits de pulido electrico de 30 piezas son para tallado, grabado, lijado y li..
S/45.0
S/30.0
Características
Material: Acero inoxidable
Color: Plata
Rosca de tornillo: M3 (3 mm)
Paso de rosca: ..
S/30.0
S/15.0
Caracteristicas:
medida: 2.54
diametro del cable: AWG(24-32)
10 pcs 2P macho
10 pcs 2P hembra
10 pc..
S/15.0
S/26.5
Caracteristicas:
potencia: 0.5W
valores de zener disponibles:
,3.3V, 3.9V, 4.7V, 5.1V, 6.2V, 6.8V..
S/26.5


