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Productos que cumplen el criterio de la búsqueda
S/70.0
DFRobot URM09 es un sensor ultrasónico especialmente diseñado para aplicaciones de alcance rápido y ..
S/70.0
S/4.0
Modelo: GT30F126
Tipo: IGBT
Polaridad de transistor: N
Pc - Máxima potencia disipada: 18 W
Vce - Ten..
S/4.0
S/14.0
El sensor digital de temperatura y humedad relativa SHT31 permite realizar mediciones muy precisas a..
S/14.0
S/8.5
DESCRIPCIÓN
La serie H11C consta de un diodo emisor de infrarrojos de arseniuro de galio acop..
S/8.5
S/1.5
HEF4027B es un flip-flop JK activado por flanco positivo dual que cuenta con entradas directas indep..
S/1.5
S/18.0
Descripcion:
El HNT-M530 es un modelo de fuente de alimentación (eliminador) de 5V y 3A, comúnmente ..
S/18.0
S/31.0
diametro de eje: 8mm
paso: 8mm
hilos: 4
largo: 300mm
material: inox
..
S/31.0
S/46.0
CARACTERISTICAS
El sensor funciona mediante un principio inductivo, utilizando un inductor interno p..
S/46.0
S/12.0
Descripcion:
el integrado IR es un controlador de alta velocidad y alto voltaje de mosfet e igbt ..
S/12.0
S/3.0
Caracteristicas:
Tipo: Canal N
Tensión de ruptura de drenaje-fuente: 75 V
Voltaje de compuerta-fu..
S/3.0
S/2.5
Especificacion
“Tipo: MOSFET de canal N.
Tensión de drenaje-fuente (Vds): 200 V.
Corriente máxima de..
S/2.5
S/2.0
Especificaciones:
Tipo de FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuent..
S/2.0
S/9.0
El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxi..
S/9.0
S/2.0
Descripcion:
El IRL530 es un MOSFET de potencia de canal N, diseñado para aplicaciones industriales..
S/2.0
S/3.0
Caracteristicas:
Modelo: J13007
encapsulado: TO-220
voltaje colector base:700V
voltaje colector emi..
S/3.0