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Productos que cumplen el criterio de la búsqueda
S/3.0
Descripcion:
Diseñado especialmente para aplicaciones de alto voltaje y alta velocidad,
como fuente..
S/3.0
S/28.0
Un Power MOSFET es un dispositivo electrónico con buenas características de conmutaci&oa..
S/28.0
S/3.0
especificaciones
Disipación total del dispositivo (Pd): 150 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 100 V
Te..
S/3.0
S/4.0
Caracteristicas:
-Tipo FET: Canal N
-Tecnología: MOSFET (óxido de metal)
-Voltaje de drenaje a fuent..
S/4.0
S/3.0
MOSFET, N, 400V, 10A, TO-220
* Polaridad del transistor:N
* Max Voltage Vds:400V
* resistencia activ..
S/3.0
S/3.0
Polaridad del transistor: Canal P
Intensidad drenador continua Id: -6.8 A
Voltaje de drenaje- fuente..
S/3.0
S/2.0
Especificaciones:
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pd -..
S/2.0
S/9.0
El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxi..
S/9.0
S/12.0
Descripcion
-IRFP360 Power Mosfet Transistor 400V 23A IRFP360PBF
..
S/12.0
S/19.0
Voltaje máximo de fuente de drenaje (V) 500
Voltaje máximo de fuente de puerta (V) ±30
Corriente de ..
S/19.0
S/5.0
Mosfet HEXFET® de Potencia
canal N
VDSS = 60V
RDS(on) = 200mΩ
ID = 10A
PD=43 v
VGS=± 20 V.
Empaqu..
S/5.0
S/0.0
Tipo de transistor: MOSFET N‑Channel
Voltaje drenador‑fuente máximo (VDS): 30 V
Voltaje puerta‑fuent..
S/0.0
S/46.0
Descripcion:
La tarjeta IRS2092S se distingue como un amplificador monofónico de alta potencia de t..
S/46.0
S/7.0
Este módulo ISD1820 Módulo de Grabación y Reproducción de Voz basado en el c..
S/7.0
S/8.0
Este módulo basado en el circuito integrado ISD1820 permite la grabación y reproducci&oa..
S/8.0