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Productos que cumplen el criterio de la búsqueda
Pen3.0
especificaciones
Disipación total del dispositivo (Pd): 150 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 100 V
Te..
Pen3.0
Pen4.0
Caracteristicas:
-Tipo FET: Canal N
-Tecnología: MOSFET (óxido de metal)
-Voltaje de drenaje a fuent..
Pen4.0
Pen3.0
MOSFET, N, 400V, 10A, TO-220
* Polaridad del transistor:N
* Max Voltage Vds:400V
* resistencia activ..
Pen3.0
Pen3.0
Polaridad del transistor: Canal P
Intensidad drenador continua Id: -6.8 A
Voltaje de drenaje- fuente..
Pen3.0
Pen9.0
El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxi..
Pen9.0
Pen12.0
Descripcion
-IRFP360 Power Mosfet Transistor 400V 23A IRFP360PBF
..
Pen12.0
Pen19.0
Voltaje máximo de fuente de drenaje (V) 500
Voltaje máximo de fuente de puerta (V) ±30
Corriente de ..
Pen19.0
Pen0.0
Especificaciones:
Tipo de MOSFET: Canal N.
Voltaje (Vds): Hasta 800V.
Corriente (Id): 7.8A.
Resisten..
Pen0.0
Pen5.0
Mosfet HEXFET® de Potencia
canal N
VDSS = 60V
RDS(on) = 200mΩ
ID = 10A
PD=43 v
VGS=± 20 V.
Empaqu..
Pen5.0
Pen0.0
Descripcion:
El IRL530 es un MOSFET de potencia de canal N, diseñado para aplicaciones industriales..
Pen0.0
Pen46.0
Descripcion:
La tarjeta IRS2092S se distingue como un amplificador monofónico de alta potencia de t..
Pen46.0
Pen12.0
Este módulo basado en el circuito integrado ISD1820 permite la grabación y reproducci&oa..
Pen12.0
Pen21.0
1: JDY-16 utiliza el desarrollo del protocolo BLE 4.2 compatible con BLE5.0, que es mejor que la com..
Pen21.0
Pen19.0
JDY-33 es un clásico Bluetooth + BLE de modo dual Bluetooth, puede comunicarse con computadoras habi..
Pen19.0
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Aplicación de desarrollo propio JK Smart BMS: JK BMS tiene su APP para más configuraciones BMS y con..
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