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S/3.0
especificaciones Disipación total del dispositivo (Pd): 150 W Tensión drenaje-fuente (Vds): 100 V Te..
S/3.0
S/4.0
Caracteristicas: -Tipo FET: Canal N -Tecnología: MOSFET (óxido de metal) -Voltaje de drenaje a fuent..
S/4.0
S/3.0
MOSFET, N, 400V, 10A, TO-220 * Polaridad del transistor:N * Max Voltage Vds:400V * resistencia activ..
S/3.0
S/3.0
Polaridad del transistor: Canal P Intensidad drenador continua Id: -6.8 A Voltaje de drenaje- fuente..
S/3.0
S/2.0
Especificaciones: Tipo de FET: MOSFET Polaridad de transistor: P ESPECIFICACIONES MÁXIMAS Pd -..
S/2.0
S/9.0
El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxi..
S/9.0
S/12.0
Descripcion -IRFP360 Power Mosfet Transistor 400V 23A IRFP360PBF ..
S/12.0
S/19.0
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S/19.0
S/5.0
Mosfet HEXFET® de Potencia canal N VDSS = 60V RDS(on) = 200mΩ ID = 10A PD=43 v VGS=± 20 V. Empaqu..
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S/46.0
Descripcion: La tarjeta IRS2092S se distingue como un amplificador monofónico de alta potencia de t..
S/46.0
S/8.0
Este módulo basado en el circuito integrado ISD1820 permite la grabación y reproducci&oa..
S/8.0
S/21.0
1: JDY-16 utiliza el desarrollo del protocolo BLE 4.2 compatible con BLE5.0, que es mejor que la com..
S/21.0
S/19.0
JDY-33 es un clásico Bluetooth + BLE de modo dual Bluetooth, puede comunicarse con computadoras habi..
S/19.0
S/260.0
JK-HSD57 es uno de los modelos de servomotores sencillos de la serie Jkongmotor que puede tomar un v..
S/260.0
S/272.5
Descripcion: JKD2060AC es un controlador de motor paso a paso digital de 2 fases de nueva generación..
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