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S/9.0
El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxi..
S/9.0
S/12.0
Descripcion
-IRFP360 Power Mosfet Transistor 400V 23A IRFP360PBF
..
S/12.0
S/15.0
Voltaje máximo de fuente de drenaje (V) 500
Voltaje máximo de fuente de puerta (V) ±30
Corriente de ..
S/15.0
S/5.0
Especificaciones:
Tipo de MOSFET: Canal N.
Voltaje (Vds): Hasta 800V.
Corriente (Id): 7.8A.
Resisten..
S/5.0
S/5.0
Mosfet HEXFET® de Potencia
canal N
VDSS = 60V
RDS(on) = 200mΩ
ID = 10A
PD=43 v
VGS=± 20 V.
Empaqu..
S/5.0
S/2.0
Descripcion:
El IRL530 es un MOSFET de potencia de canal N, diseñado para aplicaciones industriales..
S/2.0
S/3.0
Tipo de transistor: MOSFET N‑Channel
Voltaje drenador‑fuente máximo (VDS): 30 V
Voltaje puerta‑fuent..
S/3.0
S/46.0
Descripcion:
La tarjeta IRS2092S se distingue como un amplificador monofónico de alta potencia de t..
S/46.0
S/13.0
Este módulo basado en el circuito integrado ISD1820 permite la grabación y reproducci&oa..
S/13.0
S/4.0
Descripcion:
El IXFP22N65X2 de IXYS es un transistor MOSFET de canal N de la serie Ultra Junction ..
S/4.0
S/21.0
1: JDY-16 utiliza el desarrollo del protocolo BLE 4.2 compatible con BLE5.0, que es mejor que la com..
S/21.0
S/19.0
JDY-33 es un clásico Bluetooth + BLE de modo dual Bluetooth, puede comunicarse con computadoras habi..
S/19.0
S/260.0
JK-HSD57 es uno de los modelos de servomotores sencillos de la serie Jkongmotor que puede tomar un v..
S/260.0
S/272.5
Descripcion:
JKD2060AC es un controlador de motor paso a paso digital de 2 fases de nueva generación..
S/272.5
S/5.0
DESCRIPCIÓN:
Este módulo combina dos potenciómetros y un interruptor pulsador en ..
S/5.0