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S/47.0
Modo de alimentación: Alimentación remota
Diámetro de la boquilla: 0,4 mm
Mate..
S/47.0
S/30.0
material: acero inox
longitud: 500mm
hilos: 6
paso: 12mm
incluye tuerca T8 laton
..
S/30.0
S/3.0
El ICL7667 es un controlador dual monolítico de alta velocidad diseñado para convertir señales de ni..
S/3.0
S/1.5
Material: Neodimio (NdFeB)
Forma: Disco redondo
Diámetro: 7.5 mm
Alto: 2 mm
Tolerancia: +/- 0,1 mm
S..
S/1.5
S/1.0
Imanes de disco de tierras raras de neodimio diminutos de 1/4*1/8inch (6x3mm)
..
S/1.0
S/11.5
Modelo: LAY37
Tipo de botón: hongo color rojo
Disponible:
Con anillo de advertencia color amarillo
C..
S/11.5
S/13.0
ESPECIFICACIONES:
Modelo: LAY7(PCBY090)LAY37
Voltaje de funcionamiento: 660 V/10 A
Tamaño total: 37..
S/13.0
S/50.0
INTERRUPTOR SMART TOUCH, WIFI 2.4Ghz, MODO DE SUMINISTRO NOMINAL: CABLE VIVO, TENSIÓN NOMINAL: AC 10..
S/50.0
S/6.0
Descripcion:
El IR2127 es un controlador IGBT y MOSFET de potencia de alta velocidad y alto voltaje..
S/6.0
S/3.0
Caracteristicas:
Tipo: Canal N
Tensión de ruptura de drenaje-fuente: 75 V
Voltaje de compuerta-fu..
S/3.0
S/4.0
Descripcion:
El IRF3710 es un transistor MOSFET de potencia de canal N diseñado para aplicaciones d..
S/4.0
S/4.0
Caracteristicas:
-Tipo FET: Canal N
-Tecnología: MOSFET (óxido de metal)
-Voltaje de drenaje a fuent..
S/4.0
S/3.0
MOSFET, N, 400V, 10A, TO-220
* Polaridad del transistor:N
* Max Voltage Vds:400V
* resistencia activ..
S/3.0
S/5.0
Especificaciones:
Tipo de MOSFET: Canal N.
Voltaje (Vds): Hasta 800V.
Corriente (Id): 7.8A.
Resisten..
S/5.0
S/3.0
Tipo de transistor: MOSFET N‑Channel
Voltaje drenador‑fuente máximo (VDS): 30 V
Voltaje puerta‑fuent..
S/3.0