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Productos que cumplen el criterio de la búsqueda
S/3.5
TRANSISTOR, NPN, TO-3
* Polaridad del transistor:NPN
* Voltaje de ruptura de colector a emisor: 60V
..
S/3.5
S/12.0
Voltaje de mantenimiento del emisor del colector VCEO (SUS) IC = 200mA, IB = 0 40 V
Voltaje de ruptu..
S/12.0
S/3.0
Caracteristicas:
Tipo de transistor: JFET
Tipo de canal de control: Canal N
Disipación máxima de po..
S/3.0
S/0.5
El transistor 2N3904 es uno de los más comunes transistores NPN generalmente usado para amplif..
S/0.5
S/0.5
La serie 2N3906 de Multicomp se compone de transistores de conmutación planares de silicio PNP..
S/0.5
S/1.0
2N4403 es un transistor PNP de propósito general utilizado para aplicaciones de amplificaci&oa..
S/1.0
S/8.0
Polaridad del transistor: PNP
Voltaje colector base VCBO: -230 V
Voltaje colector emisor VCEO: -230 ..
S/8.0
S/3.0
Caracteristicas:
voltaje colector emisor: 150V
corriente de colector constate: 1.5 A
potencia disip..
S/3.0
S/3.5
Caracteristicas
-Transistor de potencia NPN de silicio
-Voltaje de ruptura del colector-emisor: V (B..
S/3.5
S/1.0
Descripcion:
transistor de silicio NPN de proposito general.
Documentacion:
hoja de datos
..
S/1.0
S/5.0
Características:
-Polaridad del transistor: NPN
-Voltaje base VCBO: 230 V
-Voltaje colector emisor V..
S/5.0
S/13.0
Caracteristicas:
Voltaje de drenador-surtidor(Vds): 900V
Voltaje de puerta-surtidor(Vgs):30V
corrie..
S/13.0
S/21.0
Estas ruedas de plástico negro encajan a presión en los ejes D de 3 mm en muchos de nues..
S/21.0
S/2.5
CARACTERISTICAS
-Diámetro: 30mm
-Espesor: 10 mm
-Apertura : 1,9 mm ( compacto Con 2 eje MM ..
S/2.5
S/53.0
Caracteristicas:
°Voltaje: 220 V CA
°Potencia: 300 W
°Material: Generalmente fabricado en metal o h..
S/53.0