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Pen3.0
Descripcion: Diseñado especialmente para aplicaciones de alto voltaje y alta velocidad, como fuente..
Pen3.0
Pen28.0
Un Power MOSFET es un dispositivo electrónico con buenas características de conmutaci&oa..
Pen28.0

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Pen3.0
especificaciones Disipación total del dispositivo (Pd): 150 W Tensión drenaje-fuente (Vds): 100 V Te..
Pen3.0
Pen3.0
Polaridad del transistor: Canal P Intensidad drenador continua Id: -6.8 A Voltaje de drenaje- fuente..
Pen3.0
Pen9.0
El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxi..
Pen9.0
Pen19.0
Fabricante INTERSIL Tipo de transistor N-MOSFET Polarización unipolar Voltaje de la fuente de drenaj..
Pen19.0
Pen4.5
DESCRIPCIÓN: Este módulo relé de un canal dispone de un transistor para su activación, lo que quier..
Pen4.5
Pen228.0
Descripcion: DESCRIPCIÓN INFORMACIÓN ADICIONAL RESEÑAS LAUNCH CR319 BIBLIOTECA DE BÚSQUEDA DE DTC ..
Pen228.0
Pen14.0
Este es un nuevo módulo de bus CAN MCP2515 Protocolo TJA1050 receptor SPI Compatible con proye..
Pen14.0
Pen15.0
función: el uso de control de bajo nivel de alto nivel. tales como el uso de un solo chip mi..
Pen15.0

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Pen83.0
Tarjeta de rele opto acoplada, incluye 16 canales para ser controlados en forma remota. Ideal para c..
Pen83.0
Pen6.0
Parámetros del producto 1. Trabajo de la tensión: 24 v 2. Quiescent actual: 5mA 3. Maxim..
Pen6.0
Pen4.5
Descripcion: Este módulo de relé de 1 canal de 5 V con disparador de nivel bajo es un pequeño dispo..
Pen4.5
Pen5.5
DESCRIPCIÓN: Este módulo relé de un canal dispone de un transistor para su activ..
Pen5.5
Pen11.0
DESCRIPCIÓN: Tarjeta de relés opto acoplada, incluye 2 canales para ser controlados en..
Pen11.0
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