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Productos que cumplen el criterio de la búsqueda
Pen38.0
SoC: Espressive ESP32-DOWD6Q Rev 1.0. Procesador de doble núcleo Tensilica Xtensa LX6
Conec..
Pen38.0
Pen11.0
Caracteristicas:
Con aislamiento de optoacoplador, la señal de control y la potencia del ..
Pen11.0
Pen15.0
Drive voltage : 10 V
VDSS : 250 V
rDS(ON) (max) : 0.19
ID : 20 A
..
Pen15.0
Pen5.0
El ICL7667 es un controlador dual monolítico de alta velocidad diseñado para convertir señales de ni..
Pen5.0
Pen6.0
Descripcion:
El IR2127 es un controlador IGBT y MOSFET de potencia de alta velocidad y alto voltaje..
Pen6.0
Pen4.0
Descripcion:
El IR2153 es un controlador IGBT y MOSFET de potencia autooscilante de alto voltaje y ..
Pen4.0
Pen13.0
Polaridad del transistor: Canal N
Intensidad drenador continua Id: 110 A
Tensión drenaje-fuente Vds:..
Pen13.0
Pen9.0
Este módulo IRF520 Mosfet Driver es fácil de conectar a su Arduino u otro microcontrolad..
Pen9.0
Pen3.0
Descripcion:
Diseñado especialmente para aplicaciones de alto voltaje y alta velocidad,
como fuente..
Pen3.0
Pen28.0
Un Power MOSFET es un dispositivo electrónico con buenas características de conmutaci&oa..
Pen28.0
Pen3.0
especificaciones
Disipación total del dispositivo (Pd): 150 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 100 V
Te..
Pen3.0
Pen6.0
Caracteristicas:
-Tipo FET: Canal N
-Tecnología: MOSFET (óxido de metal)
-Voltaje de drenaje a fuent..
Pen6.0
Pen3.0
MOSFET, N, 400V, 10A, TO-220
* Polaridad del transistor:N
* Max Voltage Vds:400V
* resistencia activ..
Pen3.0
Pen3.0
Polaridad del transistor: Canal P
Intensidad drenador continua Id: -6.8 A
Voltaje de drenaje- fuente..
Pen3.0
Pen9.0
El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxi..
Pen9.0