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Productos que cumplen el criterio de la búsqueda
S/5.0
Características:
-Polaridad del transistor: NPN
-Voltaje base VCBO: 230 V
-Voltaje colector emisor V..
S/5.0
S/8.0
Descripcion:
El integrado 2SK952 es un mosfet de canal N que puede manejar voltajes elevados, lleg..
S/8.0
S/13.0
ESPECIFICACIÓN Y CARACTERÍSTICAS
Tipo: Transistor IGBT
Numero de serie: 60T65PES
Paquete: TO-247AB-3..
S/13.0
S/0.5
ESPECIFICACIONES TÉCNICAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.63 W
Tensión colector-base (Vcb)..
S/0.5
S/3.5
ampliamente usados para reparacion de tarjetas de impresoras epson y similares
Marca: ON SEMICONDUCT..
S/3.5
S/0.5
Tipo de paquete: SOT-23
Tipo de transistor: PNP
Corriente máxima del colector (I C ): -15..
S/0.5
S/2.5
Descripcion:
El módulo incluye un optoaislador PC817 que proporciona aislamiento eléctrico entre el..
S/2.5
S/1.0
Características:
Transistor Bipolar (BJT) PNP
Dispositivo diseñado para operar como am..
S/1.0
S/1.0
CARACTERISTICAS:
-Tipo de paquete: TO-92
-Tipo de transistor: NPN
-Corriente máxima del c..
S/1.0
S/0.5
TRANSISTOR BIPOLAR, NPN, 30 V, TO-92
Polaridad del transistor: NPN
Collector Emitter Voltage V (br) ..
S/0.5
S/1.0
Tipo de paquete: TO-92
Tipo de transistor: PNP
Corriente máxima del colector (I C ): -100mA
Voltaje ..
S/1.0
S/4.0
Tipo de Transistor NPN
Corriente Máxima Continua del Colector 4 A
Tensión Máxima..
S/4.0
S/3.0
Especificaciones
Polaridad de Transistor: NPN
Tension de Colector a Emisor V(br)ceo: 100V
Cor..
S/3.0


