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Productos que cumplen el criterio de la búsqueda
Pen11.5
Caracteristicas:
material: Cuerpo de acero al cromo y cuchilla de carburo de tungsteno
Zanco: 1/4"(6..
Pen11.5
Pen87.5
Descripcion:
Aislamiento óptico de 4000 voltios (transitorio)
Indicador de estado LED incorporado
N..
Pen87.5
Pen4.0
Modelo: GT30F126
Tipo: IGBT
Polaridad de transistor: N
Pc - Máxima potencia disipada: 18 W
Vce - Ten..
Pen4.0
Pen589.0
El HT-M7603 es un gateway LoRaWAN estándar para interiores de alta relación calidad-precio que se pu..
Pen589.0
Pen17.0
El INA3221 es un monitor de voltaje de bus y corriente de tres canales con una interfaz compatible c..
Pen17.0
Pen4.5
Descripcion:
Diseñado especialmente para aplicaciones de alto voltaje y alta velocidad,
como fuente..
Pen4.5
Pen28.0
Un Power MOSFET es un dispositivo electrónico con buenas características de conmutaci&oa..
Pen28.0
Pen3.0
especificaciones
Disipación total del dispositivo (Pd): 150 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 100 V
Te..
Pen3.0
Pen3.0
Polaridad del transistor: Canal P
Intensidad drenador continua Id: -6.8 A
Voltaje de drenaje- fuente..
Pen3.0
Pen9.0
El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxi..
Pen9.0
Pen19.0
Fabricante INTERSIL
Tipo de transistor N-MOSFET
Polarización unipolar
Voltaje de la fuente de drenaj..
Pen19.0
Pen0.0
Especificaciones:
Tipo de MOSFET: Canal N.
Voltaje (Vds): Hasta 800V.
Corriente (Id): 7.8A.
Resisten..
Pen0.0
Pen0.0
Descripcion:
El IRL530 es un MOSFET de potencia de canal N, diseñado para aplicaciones industriales..
Pen0.0
Pen7.5
Pc - Máxima potencia disipada: 25 W
Vce - Tensión máxima colector-emisor: 630 V
Vge - Tensión máxima..
Pen7.5