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Productos que cumplen el criterio de la búsqueda
S/4.0
Tipo de Transistor NPN
Corriente Máxima Continua del Colector 4 A
Tensión Máxima..
S/4.0
S/3.0
Especificaciones
Polaridad de Transistor: NPN
Tension de Colector a Emisor V(br)ceo: 100V
Cor..
S/3.0
S/0.5
Voltaje colector-emisor (Vceo): 20 V
Voltaje colector-base (Vcbo): 30 V
Corriente del colector (Ic):..
S/0.5
S/122.5
Descripcion:
El BU941ZT es un transistor NPN Darlington de potencia diseñado principalmente para su..
S/122.5
S/2.0
Especificaciones
Tipo - NPN
Voltaje colector-emisor: 50 V
Voltaje colector-base: 60 V
Voltaje de..
S/2.0
S/3.0
1. Con paquete TO-220F
2. Complemento al tipo 2SB1366
3. Bajo voltaje de saturación del colector: V..
S/3.0
S/46.0
CARACTERISTICAS
El sensor funciona mediante un principio inductivo, utilizando un inductor interno p..
S/46.0
S/3.0
Caracteristicas:
Modelo: J13007
encapsulado: TO-220
voltaje colector base:700V
voltaje colector emi..
S/3.0
S/8.5
Descripcion:
Esta combinación corresponde a un par complementario de transistores de potencia de si..
S/8.5
S/3.0
transistor bipolar 2SC4793
Tipo: NPN
Tensión colector-emisor: 230 V
Voltaje colector-base: 230 ..
S/3.0
S/5.0
empaquetado to-220
Tipo de transistor
PNP
Corriente - Colector (Ic) (Max)
10 A
Voltaje - Desglose d..
S/5.0
S/70.0
Descripciones:
Serie GMA de sensor fotoeléctrico tipo láser, el uso del ángulo de emisión del rayo l..
S/70.0
S/1.0
Características
Polaridad (N-P-N)
Corriente máxima de colector (Ic) 200 mA
De colect..
S/1.0
S/2.0
Polaridad del transistor: NPN
Tensión colector emisor V(br)ceo: 30 V
Voltaje emisor base VEBO:..
S/2.0
S/1.0
Polaridad de Transistor: NPN
Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 300V
Disipación ..
S/1.0