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Productos que cumplen el criterio de la búsqueda
S/4.0
[modo de cableado]: hay 4 cables, dos cables cortos están conectados a la entrada de la batería y do..
S/4.0
S/33.5
Descripcion:
Interruptor de arranque suave, amplia versatilidad, adecuado para varias marcas de amo..
S/33.5
S/7.0
El estado del interruptor está CERRADO (encendido) cuando el interruptor está cerca del imán;.
El es..
S/7.0
S/46.0
interruptor inalámbrico Xiaomi (Versión Bluetooth)
Tamaño del producto: 50x50x13mm
Especificaciones ..
S/46.0
S/155.0
Tipo de componente: IC de gestión de energía / power bank SoC (System-on-Chip)
Función integrada:
• ..
S/155.0
S/4.0
Descripcion:
El IR2153 es un controlador IGBT y MOSFET de potencia autooscilante de alto voltaje y ..
S/4.0
S/3.0
Caracteristicas:
Tipo: Canal N
Tensión de ruptura de drenaje-fuente: 75 V
Voltaje de compuerta-fu..
S/3.0
S/4.0
Descripcion:
El IRF3710 es un transistor MOSFET de potencia de canal N diseñado para aplicaciones d..
S/4.0
S/5.5
Descripcion:
Diseñado especialmente para aplicaciones de alto voltaje y alta velocidad,
como fuente..
S/5.5
S/28.0
Un Power MOSFET es un dispositivo electrónico con buenas características de conmutaci&oa..
S/28.0
S/3.0
especificaciones
Disipación total del dispositivo (Pd): 150 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 100 V
Te..
S/3.0
S/2.0
Especificaciones:
Tipo de FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuent..
S/2.0
S/3.0
Polaridad del transistor: Canal P
Intensidad drenador continua Id: -6.8 A
Voltaje de drenaje- fuente..
S/3.0
S/2.0
Especificaciones:
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pd -..
S/2.0
S/9.0
El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxi..
S/9.0