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S/12.0
Potencia: 5W Valor: 10Mohm Voltaje Max: 15kV Material: vidrio esmaltado ..
S/12.0
S/0.5
Descripción Los resistores array SIP8 tipo peineta son componentes electrónicos que integran varios..
S/0.5
S/1.0
Resistencia tipo peine de 2.2K 9 pines, modelo A222J ..
S/1.0
S/70.0
DESCRIPCIÓN -1.Los sensores de temperatura pueden muestrear automáticamente y monitorear..
S/70.0
S/65.0
DESCRIPCIÓN 1.Los sensores de temperatura pueden muestrear y monitorear automáticamente la temperat..
S/65.0
S/5.0
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 60 W |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 630 V |Vge|ⓘ - T..
S/5.0
S/2.5
Corriente de Encendido Medio Nominal 20A Tipo de Tiristor SCR Tipo de Encapsulado TO-220 Tensión Inv..
S/2.5
S/3.0
Descripcion: El SCR (Silicon Controlled Rectifier o Rectificador Controlado de Silicio, es un disp..
S/3.0

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S/2.0
Caracteristicas Transistor NPN de bajo voltaje y alta corriente Pequeño transistor de se&nti..
S/2.0

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S/0.5
Polaridad de transistor: PNP Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W Tensión colect..
S/0.5

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S/0.5
Transistor Bipolar (BJT) PNP Dispositivo diseñado para operar como amplificador de audio hFE..
S/0.5

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S/0.5
Características: Transistor Bipolar (BJT) NPN Dispositivo diseñado para operar como am..
S/0.5

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S/2.0
Especificaciones Nombre del producto: Transistor SOT23. Ic: 100 mA Vceo: 45 V HFE: 200 - 400 PCM: ..
S/2.0

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S/2.0
Transistor Bipolar (BJT) NPN Dispositivo diseñado para operar como amplificador AM/FM y de fr..
S/2.0
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