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S/1.0
Información del producto
2N5401 está específicamente diseñado para usarse e..
S/1.0
S/1.0
DESCRIPCION DE PRODUCTO:
2N5551 es un transistor NPN de propósito general construido para u..
S/1.0
S/1.0
Descripcion:
Transistor de proposito general a1266
Documentacion:
Características:
1. Excelente l..
S/1.0
S/8.0
Polaridad del transistor: PNP
Voltaje colector base VCBO: -230 V
Voltaje colector emisor VCEO: -230 ..
S/8.0
S/3.0
ESPECIFICACIONES TECNICAS:
-Tipo - PNP
-Voltaje del colector-emisor: -120 V
-Voltaje de la base del ..
S/3.0
S/1.0
Especificaciones:
Voltaje Colector-Base: 60V
Voltaje Colector-Emisor: 50V
Voltaje Emisor-Base: 5V..
S/1.0
S/1.0
Descripcion:
transistor de silicio NPN de proposito general.
Documentacion:
hoja de datos
..
S/1.0
S/5.0
Características:
-Polaridad del transistor: NPN
-Voltaje base VCBO: 230 V
-Voltaje colector emisor V..
S/5.0
S/1.0
Transistor 2SC9014 - Preamplificador de Bajo Nivel de Alto Rendimiento
El transistor 2SC9014 es un ..
S/1.0
S/2.5
D718 2SD718 KTD718 NPN 120V 8A Transistor TO-3P Amplificadores de potencia de audio Transistor de po..
S/2.5
S/3.5
CARACTERISTICAS
-Diámetro: 45mm
-Espesor: 16mm
-Material: plástico y Goma..
S/3.5
S/2.5
CARACTERISTICAS
-Diámetro: 30mm
-Espesor: 10 mm
-Apertura : 1,9 mm ( compacto Con 2 eje MM ..
S/2.5
S/1.0
Caracteristicas:
-Tipo de fusible: polímero PTC
-Corriente de trabajo: 1.1A
-Corriente de choque: 4..
S/1.0
S/10.0
Características
Control multimodo (operación de alta eficiencia en todo el rango de cargas)
Función ..
S/10.0
S/59.0
Características
DIODO, ESTÁNDAR, 40A, 1200V
Tipo de diodo: recuperación estándar
Configuración de di..
S/59.0