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Productos que cumplen el criterio de la búsqueda
S/33.5
El principio basico detras de los sensores de oxido de metal SGX es que la resistencia de la capa de..
S/33.5
S/3.0
El MJE2955T es un transistor de potencia PNP de base epitaxial de silicio de -60 V diseñado para cir..
S/3.0
S/8.0
El tiempo de retardo es ajustable (0 a 10 segundos)
Aumentar el potencial puede aumentar el tiempo d..
S/8.0
S/8.5
Rango de voltaje de suministro bajo: 1,8 V a 3,6 V
Consumo de energía ultrabajo
Modo activo: 230 µA ..
S/8.5
S/4.0
Descripcion:
El NE5532 es un amplificador operacional de alto rendimiento que combina excelentes car..
S/4.0
S/45.0
Descripción:
Este es el amplificador de audio XH-M164 que está integrado en el chip NE5532.
Caracte..
S/45.0
S/13.5
CARACTERISTICAS
-1. Voltaje de trabajo: DC 12-35V
-2. Corriente de trabajo: aproximadamente 600 mA
-..
S/13.5
S/4.0
Voltaje de entrada: 5V-15VDC. Fuente de alimentación de 5V, la corriente de salida puede 15MA alrede..
S/4.0
S/4.0
Descripcion:
Este componente es un módulo generador de señales de pulsos basado en el circuito inte..
S/4.0
S/1.0
El LM555CN es un dispositivo altamente estable para generar retrasos u oscilaciones de tiempo precis..
S/1.0
S/1.5
Frecuencia máxima de funcionamiento: mayor que 500 kHz
Tiempo de microsegundos a horas
Funciona en m..
S/1.5
S/14.0
Estos MOSFET de potencia han sido desarrollados utilizando el exclusivo proceso STripFET de STMicroe..
S/14.0


