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Productos que cumplen el criterio de la búsqueda
Pen3.0
MOSFET, N, 400V, 10A, TO-220
* Polaridad del transistor:N
* Max Voltage Vds:400V
* resistencia activ..
Pen3.0
Pen3.0
Polaridad del transistor: Canal P
Intensidad drenador continua Id: -6.8 A
Voltaje de drenaje- fuente..
Pen3.0
Pen9.0
El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxi..
Pen9.0
Pen12.0
Descripcion
-IRFP360 Power Mosfet Transistor 400V 23A IRFP360PBF
..
Pen12.0
Pen19.0
Voltaje máximo de fuente de drenaje (V) 500
Voltaje máximo de fuente de puerta (V) ±30
Corriente de ..
Pen19.0
Pen0.0
Especificaciones:
Tipo de MOSFET: Canal N.
Voltaje (Vds): Hasta 800V.
Corriente (Id): 7.8A.
Resisten..
Pen0.0
Pen5.0
Mosfet HEXFET® de Potencia
canal N
VDSS = 60V
RDS(on) = 200mΩ
ID = 10A
PD=43 v
VGS=± 20 V.
Empaqu..
Pen5.0
Pen0.0
Descripcion:
El IRL530 es un MOSFET de potencia de canal N, diseñado para aplicaciones industriales..
Pen0.0
Pen8.0
Descripción:
El transistor K10A50D de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET, es un tran..
Pen8.0
Pen7.5
Pc - Máxima potencia disipada: 25 W
Vce - Tensión máxima colector-emisor: 630 V
Vge - Tensión máxima..
Pen7.5
Pen1,239.5
El husillo de refrigeración por agua adopta el ciclo de agua para enfriar el husillo, por lo que el ..
Pen1,239.5
Pen4.5
Descripcion:
-Catodo Diodo|Potencia LED 3W:Ofrece una iluminación intensa con 3W de potencia, ideal..
Pen4.5
Pen38.0
Especificaciones
Excelente MOS tubo(Corriente máxima nominal 280A)
Gran disipador de calor, l..
Pen38.0
Pen40.0
La placa es un módulo de controlador de interruptor de disparo MOS de alta potencia y una placa de c..
Pen40.0