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Productos que cumplen el criterio de la búsqueda
S/3.0
Polaridad del transistor: Canal P
Intensidad drenador continua Id: -6.8 A
Voltaje de drenaje- fuente..
S/3.0
S/2.0
Especificaciones:
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pd -..
S/2.0
S/9.0
El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxi..
S/9.0
S/12.0
Descripcion
-IRFP360 Power Mosfet Transistor 400V 23A IRFP360PBF
..
S/12.0
S/19.0
Voltaje máximo de fuente de drenaje (V) 500
Voltaje máximo de fuente de puerta (V) ±30
Corriente de ..
S/19.0
S/5.0
Mosfet HEXFET® de Potencia
canal N
VDSS = 60V
RDS(on) = 200mΩ
ID = 10A
PD=43 v
VGS=± 20 V.
Empaqu..
S/5.0
S/8.0
Descripción:
El transistor K10A50D de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET, es un tran..
S/8.0
S/7.5
Pc - Máxima potencia disipada: 25 W
Vce - Tensión máxima colector-emisor: 630 V
Vge - Tensión máxima..
S/7.5
S/1,239.5
El husillo de refrigeración por agua adopta el ciclo de agua para enfriar el husillo, por lo que el ..
S/1,239.5
S/3.0
Descripcion:
-Catodo Diodo|Potencia LED 3W:Ofrece una iluminación intensa con 3W de potencia, ideal..
S/3.0
S/38.0
Especificaciones
Excelente MOS tubo(Corriente máxima nominal 280A)
Gran disipador de calor, l..
S/38.0
S/40.0
La placa es un módulo de controlador de interruptor de disparo MOS de alta potencia y una placa de c..
S/40.0
S/31.5
Descripcion:
Excelente MOS tubo(Corriente máxima nominal 280A)
Gran disipador de calor, la corriente..
S/31.5