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S/122.5
Descripcion:
El BU941ZT es un transistor NPN Darlington de potencia diseñado principalmente para su..
S/122.5
S/2.0
Especificaciones
Tipo - NPN
Voltaje colector-emisor: 50 V
Voltaje colector-base: 60 V
Voltaje de..
S/2.0
S/3.0
1. Con paquete TO-220F
2. Complemento al tipo 2SB1366
3. Bajo voltaje de saturación del colector: V..
S/3.0
S/0.8
Caracterìsticas:
-Material: Aluminio
-Altura: 20mm
-Ancho para transistor: 12.5mm
-Largo: 15mm
..
S/0.8
S/6.0
Descripcion:
Número de Parte: FGA25N120
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
..
S/6.0
S/13.0
ESPECIFICACIÓN Y CARACTERÍSTICAS
Tipo: Transistor IGBT
Numero de serie: 60N60
Paquete: TO-247AB-3
Es..
S/13.0
S/16.0
ESPECIFICACIONES TECNICAS:
Máxima potencia disipada: 445 W
Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
..
S/16.0
S/8.0
Caracteristicas:
Modelo: H20R1203
Tipo: IGBT
Canal: N
VCE: 1200V
IC: 20A
Voltaje de saturación cole..
S/8.0
S/3.0
Caracteristicas:
Tipo: Canal N
Tensión de ruptura de drenaje-fuente: 75 V
Voltaje de compuerta-fu..
S/3.0
S/4.0
Descripcion:
El IRF3710 es un transistor MOSFET de potencia de canal N diseñado para aplicaciones d..
S/4.0
S/2.0
Especificaciones:
Tipo de FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuent..
S/2.0
S/2.0
Especificaciones:
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pd -..
S/2.0
S/12.0
Descripcion
-IRFP360 Power Mosfet Transistor 400V 23A IRFP360PBF
..
S/12.0
S/15.0
Voltaje máximo de fuente de drenaje (V) 500
Voltaje máximo de fuente de puerta (V) ±30
Corriente de ..
S/15.0
S/5.0
Especificaciones:
Tipo de MOSFET: Canal N.
Voltaje (Vds): Hasta 800V.
Corriente (Id): 7.8A.
Resisten..
S/5.0