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S/946.5
Transistor LDMOS de potencia
Un transistor de potencia LDMOS extremadamente robusto de 1400 W para a..
S/946.5
S/7.0
Especificaciones
Estilo de montaje: SMD/SMT
Paquete / Cubierta: PG-SOT-223-4
Polaridad del tran..
S/7.0
S/2.0
Especificaciones
Tipo - NPN
Voltaje colector-emisor: 50 V
Voltaje colector-base: 60 V
Voltaje de..
S/2.0
S/3.0
1. Con paquete TO-220F
2. Complemento al tipo 2SB1366
3. Bajo voltaje de saturación del colector: V..
S/3.0
S/0.8
Caracterìsticas:
-Material: Aluminio
-Altura: 20mm
-Ancho para transistor: 12.5mm
-Largo: 15mm
..
S/0.8
S/13.0
ESPECIFICACIÓN Y CARACTERÍSTICAS
Tipo: Transistor IGBT
Numero de serie: 60N60
Paquete: TO-247AB-3
Es..
S/13.0
S/8.0
Caracteristicas:
Modelo: H20R1203
Tipo: IGBT
Canal: N
VCE: 1200V
IC: 20A
Voltaje de saturación cole..
S/8.0
S/8.0
Caracteristicas:
H20R1203
Tipo: IGBT
Canal: N
VCE: 1200V
IC: 20A
Ptot: 310W
Tvjmáx: 175ºC
Encapsu..
S/8.0
S/2.0
Especificaciones:
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pd -..
S/2.0
S/12.0
Descripcion
-IRFP360 Power Mosfet Transistor 400V 23A IRFP360PBF
..
S/12.0
S/19.0
Voltaje máximo de fuente de drenaje (V) 500
Voltaje máximo de fuente de puerta (V) ±30
Corriente de ..
S/19.0
S/4.5
Tipo IGBT TNP
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 600V
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic ..
S/4.5
S/3.0
Caracteristicas:
Modelo: J13007
encapsulado: TO-220
voltaje colector base:700V
voltaje colector emi..
S/3.0
S/8.0
Descripción:
El transistor K10A50D de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET, es un tran..
S/8.0
S/8.0
Características :
1. Tiempo de resistencia al cortocircuito: 10 us
2. Diseñado para:
(1) Convertid..
S/8.0