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Productos que cumplen el criterio de la búsqueda
S/28.0
Caracteristicas:
modelo: M14 PVC
color: negro
voltaje nominal: 250V
corriente maxima: 6 A
tamaño de..
S/28.0
S/5.0
El IR2110 es un circuito integrado controlador de alto voltaje (HVIC) para MOSFET e IGBTs, caracteri..
S/5.0
S/4.0
Descripcion:
El IRF3710 es un transistor MOSFET de potencia de canal N diseñado para aplicaciones d..
S/4.0
S/5.5
Descripcion:
Diseñado especialmente para aplicaciones de alto voltaje y alta velocidad,
como fuente..
S/5.5
S/28.0
Un Power MOSFET es un dispositivo electrónico con buenas características de conmutaci&oa..
S/28.0
S/3.0
especificaciones
Disipación total del dispositivo (Pd): 150 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 100 V
Te..
S/3.0
S/2.0
Especificaciones:
Tipo de FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuent..
S/2.0
S/3.0
Polaridad del transistor: Canal P
Intensidad drenador continua Id: -6.8 A
Voltaje de drenaje- fuente..
S/3.0
S/2.0
Especificaciones:
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pd -..
S/2.0
S/9.0
El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxi..
S/9.0
S/19.0
Fabricante INTERSIL
Tipo de transistor N-MOSFET
Polarización unipolar
Voltaje de la fuente de drenaj..
S/19.0
S/5.0
Especificaciones:
Tipo de MOSFET: Canal N.
Voltaje (Vds): Hasta 800V.
Corriente (Id): 7.8A.
Resisten..
S/5.0
S/2.0
Descripcion:
El IRL530 es un MOSFET de potencia de canal N, diseñado para aplicaciones industriales..
S/2.0
S/4.0
Descripcion:
El IXFP22N65X2 de IXYS es un transistor MOSFET de canal N de la serie Ultra Junction ..
S/4.0
S/3.0
Caracteristicas:
Modelo: J13007
encapsulado: TO-220
voltaje colector base:700V
voltaje colector emi..
S/3.0