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Productos que cumplen el criterio de la búsqueda
Pen0.8
Caracteristicas:
Material: plastico, metal
Modelo: kcd1-101
Tipo : 2Pin, 2 posicion, SPST
Voltage :..
Pen0.8
Pen0.8
Caracteristicas:
modelo: kcd1-105 15mm
color: rojo
pines: 2 pines
corriente nominal:3a
voltaje no..
Pen0.8
Pen6.0
Descripcion:
El IR2127 es un controlador IGBT y MOSFET de potencia de alta velocidad y alto voltaje..
Pen6.0
Pen15.0
Los IR2136/IR21362 son controladores MOSFET e IGBT de potencia de alta velocidad y alto voltaje con ..
Pen15.0
Pen4.0
Descripcion:
El IR2153 es un controlador IGBT y MOSFET de potencia autooscilante de alto voltaje y ..
Pen4.0
Pen13.0
Polaridad del transistor: Canal N
Intensidad drenador continua Id: 110 A
Tensión drenaje-fuente Vds:..
Pen13.0
Pen5.5
Este módulo IRF520 Mosfet Driver es fácil de conectar a su Arduino u otro microcontrolad..
Pen5.5
Pen4.5
Descripcion:
Diseñado especialmente para aplicaciones de alto voltaje y alta velocidad,
como fuente..
Pen4.5
Pen28.0
Un Power MOSFET es un dispositivo electrónico con buenas características de conmutaci&oa..
Pen28.0
Pen3.0
especificaciones
Disipación total del dispositivo (Pd): 150 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 100 V
Te..
Pen3.0
Pen4.0
Caracteristicas:
-Tipo FET: Canal N
-Tecnología: MOSFET (óxido de metal)
-Voltaje de drenaje a fuent..
Pen4.0
Pen3.0
MOSFET, N, 400V, 10A, TO-220
* Polaridad del transistor:N
* Max Voltage Vds:400V
* resistencia activ..
Pen3.0
Pen3.0
Polaridad del transistor: Canal P
Intensidad drenador continua Id: -6.8 A
Voltaje de drenaje- fuente..
Pen3.0
Pen9.0
El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxi..
Pen9.0
Pen19.0
Fabricante INTERSIL
Tipo de transistor N-MOSFET
Polarización unipolar
Voltaje de la fuente de drenaj..
Pen19.0