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Productos que cumplen el criterio de la búsqueda
S/9.0
CARACTERISTICAS:
-La ganancia (dBi): 3
-Relación de onda estacionaria: 1mts
-Impedancia de e..
S/9.0
S/12.0
Descripcion:
Esta antena es un componente diseñado para dispositivos IoT y redes LoRaWAN, optimizada..
S/12.0
S/3.0
ecnología Canal P
Forma de montaje Paquete D
Diseño MOSFET
Tipo Transistores unipolares (..
S/3.0
S/4.5
Descripcion:
AP2960 es un amplio voltaje de entrada, alta eficiencia Convertidor CC/CC reductor sín..
S/4.5
S/3.0
Fabricante ADVANCED POWER ELECTRONICS
Tipo de transistor N-MOSFET
Polarización unipolar
..
S/3.0
S/0.5
Caracteristicas:
Material: acero inoxidable
diametro interno: 3mm
diametro externo: 7mm
grosor: 0.5..
S/0.5
S/1.0
Caracteristicas:
Material: acero inoxidable
diametro interno: 5mm
diametro externo: 10mm
grosor: 0..
S/1.0
S/25.0
Esta placa fue desarrollada para aplicaciones e instalaciones donde el espacio es premium y los proy..
S/25.0
S/26.0
Caracteristicas:
CONMUTADOR DE FRECUENCIA AS179-92LF 20MHZ A 4GHZ
El AS179-92LF es un interruptor p..
S/26.0
S/2.0
Voltaje de funcionamiento (máx.) 16V
Mantener actual 4A
Clasificación actual (máx.) 40A
Disipació..
S/2.0
S/7.0
Descripción
El B0909-1W es un conversor de aislamiento diseñado para proporcionar una salida de 09VD..
S/7.0
S/12.0
Descripcion:
-2SB649A: Transistor PNP de potencia.
-2SD669A: Transistor NPN de potencia, complement..
S/12.0


