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Productos que cumplen el criterio de la búsqueda
S/4.0
Descripcion:
El IXFP22N65X2 de IXYS es un transistor MOSFET de canal N de la serie Ultra Junction ..
S/4.0
S/3.0
Caracteristicas:
Modelo: J13007
encapsulado: TO-220
voltaje colector base:700V
voltaje colector emi..
S/3.0
S/8.0
Descripción:
El transistor K10A50D de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET, es un tran..
S/8.0
S/8.0
Características :
1. Tiempo de resistencia al cortocircuito: 10 us
2. Diseñado para:
(1) Convertid..
S/8.0
S/5.5
Descripcion:
El código K40B65H2A (también conocido como AOK40B65H2AL) corresponde a un transistor IG..
S/5.5
S/27.0
el kit contiene
10x S9012 PNP
10xS9013 NPN
10xS9014 NPN
10xS9015 BJT-PNP
10xS9018 NPN High frecuenc..
S/27.0
S/8.5
Descripcion:
Esta combinación corresponde a un par complementario de transistores de potencia de si..
S/8.5
S/39.5
BC327 ---20PCS
BC337 ---20PCS
BS517 ---20PCS
BC547 ---20PCS
BC548 ---20PCS
BC549 ---20PCS
BC550 ---2..
S/39.5
S/3.0
transistor bipolar 2SC4793
Tipo: NPN
Tensión colector-emisor: 230 V
Voltaje colector-base: 230 ..
S/3.0
S/5.0
empaquetado to-220
Tipo de transistor
PNP
Corriente - Colector (Ic) (Max)
10 A
Voltaje - Desglose d..
S/5.0
S/92.5
Descripcion:
Dispositivo diseñado para probar transistores NPN y PNP, transistores MOFSET canal N ..
S/92.5
S/2.0
Descripcion del producto
Detalles del artículo: MJE.
Caracteristica: 13003 transistor b772 ..
S/2.0
S/2.5
Especificaciones:
Tipo: NPN
Tensión colector-emisor: 250 V
Tensión colector-base: 250 V
Tensión..
S/2.5
S/3.0
El MJE2955T es un transistor de potencia PNP de base epitaxial de silicio de -60 V diseñado para cir..
S/3.0
S/0.6
Especificaciones:
Tipo: MOSFET de canal N (N-Channel).
Encapsulado: SOT-23 (montaje superficial).
..
S/0.6