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Descripcion del producto Detalles del artículo: MJE. Caracteristica: 13003 transistor b772 ..
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El MJE2955T es un transistor de potencia PNP de base epitaxial de silicio de -60 V diseñado para cir..
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Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 300V Disipación ..
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Polaridad de Transistor: PNP Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 300V Frecuencia de Tra..
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Estos MOSFET de potencia han sido desarrollados utilizando el exclusivo proceso STripFET de STMicroe..
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Esta serie de MOSFET de potencia realizada con el proceso STripFET™ exclusivo de STMicroelectronics ..
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Caracteristicas Transistor NPN de bajo voltaje y alta corriente Pequeño transistor de se&nti..
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Polaridad de transistor: PNP Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W Tensión colect..
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Transistor Bipolar (BJT) PNP Dispositivo diseñado para operar como amplificador de audio hFE..
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Características: Transistor Bipolar (BJT) NPN Dispositivo diseñado para operar como am..
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Especificaciones Nombre del producto: Transistor SOT23. Ic: 100 mA Vceo: 45 V HFE: 200 - 400 PCM: ..
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Transistor Bipolar (BJT) NPN Dispositivo diseñado para operar como amplificador AM/FM y de fr..
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transistor Mosfet N Tipo de FET: Canal N SMD/SMT Paquete: SOT-23 Voltaje de drenaje (Vdss): 20V Corr..
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ampliamente usado en cargadores y powerbanks con este IC puedes revivir tus powerbanks ..
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The TIC206D is a sensitive gate TRIAC transistor in a to-220 package Specifications: Package / C..
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