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Productos que cumplen el criterio de la búsqueda
Pen27.0
el kit contiene
10x S9012 PNP
10xS9013 NPN
10xS9014 NPN
10xS9015 BJT-PNP
10xS9018 NPN High frecuenc..
Pen27.0
Pen39.5
BC327 ---20PCS
BC337 ---20PCS
BS517 ---20PCS
BC547 ---20PCS
BC548 ---20PCS
BC549 ---20PCS
BC550 ---2..
Pen39.5
Pen0.0
transistor bipolar 2SC4793
Tipo: NPN
Tensión colector-emisor: 230 V
Voltaje colector-base: 230 ..
Pen0.0
Pen5.0
empaquetado to-220
Tipo de transistor
PNP
Corriente - Colector (Ic) (Max)
10 A
Voltaje - Desglose d..
Pen5.0
Pen92.5
Descripcion:
Dispositivo diseñado para probar transistores NPN y PNP, transistores MOFSET canal N ..
Pen92.5
Pen2.0
Descripcion del producto
Detalles del artículo: MJE.
Caracteristica: 13003 transistor b772 ..
Pen2.0
Pen3.0
El MJE2955T es un transistor de potencia PNP de base epitaxial de silicio de -60 V diseñado para cir..
Pen3.0
Pen0.0
Especificaciones:
Tipo de transistor: MOSFET
Tipo de canal de control: Canal N
Disipación de potenc..
Pen0.0
Pen1.0
Polaridad de Transistor: NPN
Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 300V
Disipación ..
Pen1.0
Pen1.0
Polaridad de Transistor: PNP
Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 300V
Frecuencia de Tra..
Pen1.0
Pen14.0
Estos MOSFET de potencia han sido desarrollados utilizando el exclusivo proceso STripFET de STMicroe..
Pen14.0
Pen4.5
Esta serie de MOSFET de potencia realizada con el proceso STripFET™ exclusivo de STMicroelectronics ..
Pen4.5
Pen72.5
Descripcion:
El RD70HVF1-101 es un transistor de potencia de RF Mitsubishi diseñado para circuitos ..
Pen72.5
Pen5.0
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 60 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 630 V
|Vge|ⓘ - T..
Pen5.0
Pen2.0
Caracteristicas
Transistor NPN de bajo voltaje y alta corriente
Pequeño transistor de se&nti..
Pen2.0