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S/2.0
Especificaciones: Tipo de FET: MOSFET Polaridad de transistor: P ESPECIFICACIONES MÁXIMAS Pd -..
S/2.0
S/12.0
Descripcion -IRFP360 Power Mosfet Transistor 400V 23A IRFP360PBF ..
S/12.0
S/19.0
Voltaje máximo de fuente de drenaje (V) 500 Voltaje máximo de fuente de puerta (V) ±30 Corriente de ..
S/19.0
S/4.5
Tipo IGBT TNP Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 600V Vce (on) (Max) @ Vge, Ic ..
S/4.5
S/4.0
Descripcion: El IXFP22N65X2 de IXYS es un transistor MOSFET de canal N de la serie Ultra Junction ..
S/4.0
S/3.0
Caracteristicas: Modelo: J13007 encapsulado: TO-220 voltaje colector base:700V voltaje colector emi..
S/3.0
S/8.0
Descripción: El transistor K10A50D de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET, es un tran..
S/8.0
S/8.0
Características : 1. Tiempo de resistencia al cortocircuito: 10 us 2. Diseñado para: (1) Convertid..
S/8.0
S/5.5
Descripcion: El código K40B65H2A (también conocido como AOK40B65H2AL) corresponde a un transistor IG..
S/5.5
S/27.0
el kit contiene 10x S9012 PNP 10xS9013 NPN 10xS9014 NPN 10xS9015 BJT-PNP 10xS9018 NPN High frecuenc..
S/27.0
S/39.5
BC327 ---20PCS BC337 ---20PCS BS517 ---20PCS BC547 ---20PCS BC548 ---20PCS BC549 ---20PCS BC550 ---2..
S/39.5
S/3.0
transistor bipolar 2SC4793 Tipo: NPN Tensión colector-emisor: 230 V Voltaje colector-base: 230 ..
S/3.0
S/5.0
empaquetado to-220 Tipo de transistor PNP Corriente - Colector (Ic) (Max) 10 A Voltaje - Desglose d..
S/5.0
S/92.5
Descripcion: Dispositivo diseñado para probar transistores NPN y PNP, transistores MOFSET canal N ..
S/92.5
S/2.0
Descripcion del producto Detalles del artículo: MJE. Caracteristica: 13003 transistor b772 ..
S/2.0
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