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S/12.0
Descripcion:
el integrado IR es un controlador de alta velocidad y alto voltaje de mosfet e igbt ..
S/12.0
S/15.0
Los IR2136/IR21362 son controladores MOSFET e IGBT de potencia de alta velocidad y alto voltaje con ..
S/15.0
S/4.0
Descripcion:
El IR2153 es un controlador IGBT y MOSFET de potencia autooscilante de alto voltaje y ..
S/4.0
S/3.0
Caracteristicas:
Tipo: Canal N
Tensión de ruptura de drenaje-fuente: 75 V
Voltaje de compuerta-fu..
S/3.0
S/13.0
Polaridad del transistor: Canal N
Intensidad drenador continua Id: 110 A
Tensión drenaje-fuente Vds:..
S/13.0
S/2.0
Especificaciones:
Tipo de FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuent..
S/2.0
S/9.0
El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxi..
S/9.0
S/19.0
Fabricante INTERSIL
Tipo de transistor N-MOSFET
Polarización unipolar
Voltaje de la fuente de drenaj..
S/19.0
S/12.0
Descripcion
-IRFP360 Power Mosfet Transistor 400V 23A IRFP360PBF
..
S/12.0
S/3.0
Caracteristicas:
Modelo: J13007
encapsulado: TO-220
voltaje colector base:700V
voltaje colector emi..
S/3.0
S/29.5
El JCV8034 es un innovador amplificador de potencia de audio de clase AB con tecnología MOSFET en pa..
S/29.5
S/11.0
Modelo JDY-22
Rango de frecuencia 2.4G
Potencia de transmisión 4db (MAX)
Interfaz de comunicac..
S/11.0
S/19.0
JDY-33 es un clásico Bluetooth + BLE de modo dual Bluetooth, puede comunicarse con computadoras habi..
S/19.0
S/190.0
El JK3DM683 es un controlador paso a paso digital de alto rendimiento de nueva generación basado e..
S/190.0
S/196.0
El JK3DM860 es un controlador paso a paso digital de alto rendimiento de nueva generación basado en ..
S/196.0