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S/3.0
Polaridad del transistor: Canal P
Intensidad drenador continua Id: -6.8 A
Voltaje de drenaje- fuente..
S/3.0
S/2.0
Especificaciones:
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pd -..
S/2.0
S/9.0
El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxi..
S/9.0
S/19.0
Fabricante INTERSIL
Tipo de transistor N-MOSFET
Polarización unipolar
Voltaje de la fuente de drenaj..
S/19.0
S/12.0
Descripcion
-IRFP360 Power Mosfet Transistor 400V 23A IRFP360PBF
..
S/12.0
S/19.0
Voltaje máximo de fuente de drenaje (V) 500
Voltaje máximo de fuente de puerta (V) ±30
Corriente de ..
S/19.0
S/5.0
Mosfet HEXFET® de Potencia
canal N
VDSS = 60V
RDS(on) = 200mΩ
ID = 10A
PD=43 v
VGS=± 20 V.
Empaqu..
S/5.0
S/7.0
Este módulo ISD1820 Módulo de Grabación y Reproducción de Voz basado en el c..
S/7.0
S/8.0
Este módulo basado en el circuito integrado ISD1820 permite la grabación y reproducci&oa..
S/8.0
S/50.0
J-Link- OB SEGGER desarrollador
soporta JTAG o SWD dispositivo de comunicación puede soportar la des..
S/50.0
S/3.0
Caracteristicas:
Modelo: J13007
encapsulado: TO-220
voltaje colector base:700V
voltaje colector emi..
S/3.0
S/29.5
El JCV8034 es un innovador amplificador de potencia de audio de clase AB con tecnología MOSFET en pa..
S/29.5
S/11.0
Modelo JDY-22
Rango de frecuencia 2.4G
Potencia de transmisión 4db (MAX)
Interfaz de comunicac..
S/11.0
S/260.0
JK-HSD57 es uno de los modelos de servomotores sencillos de la serie Jkongmotor que puede tomar un v..
S/260.0
S/190.0
El JK3DM683 es un controlador paso a paso digital de alto rendimiento de nueva generación basado e..
S/190.0