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S/92.5
Descripcion:
Dispositivo diseñado para probar transistores NPN y PNP, transistores MOFSET canal N ..
S/92.5
S/2.0
Descripcion del producto
Detalles del artículo: MJE.
Caracteristica: 13003 transistor b772 ..
S/2.0
S/3.0
El MJE2955T es un transistor de potencia PNP de base epitaxial de silicio de -60 V diseñado para cir..
S/3.0
S/0.6
Especificaciones:
Tipo: MOSFET de canal N (N-Channel).
Encapsulado: SOT-23 (montaje superficial).
..
S/0.6
S/1.5
Especificaciones:
Tipo de transistor: MOSFET
Tipo de canal de control: Canal N
Disipación de potenc..
S/1.5
S/1.0
Polaridad de Transistor: NPN
Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 300V
Disipación ..
S/1.0
S/1.0
Polaridad de Transistor: PNP
Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 300V
Frecuencia de Tra..
S/1.0
S/14.0
Estos MOSFET de potencia han sido desarrollados utilizando el exclusivo proceso STripFET de STMicroe..
S/14.0
S/4.5
Esta serie de MOSFET de potencia realizada con el proceso STripFET™ exclusivo de STMicroelectronics ..
S/4.5
S/1.0
Descripcion:
El PHD3055E es un transistor de potencia de efecto de campo (MOSFET) de canal N, fabri..
S/1.0
S/180.0
Descripcion:
El RD70HVF1-101 es un transistor de potencia de RF Mitsubishi diseñado para circuitos ..
S/180.0
S/5.0
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 60 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 630 V
|Vge|ⓘ - T..
S/5.0
S/2.0
Caracteristicas
Transistor NPN de bajo voltaje y alta corriente
Pequeño transistor de se&nti..
S/2.0
S/0.5
Polaridad de transistor: PNP
Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W
Tensión colect..
S/0.5
S/0.5
Transistor Bipolar (BJT) PNP
Dispositivo diseñado para operar como amplificador de audio
hFE..
S/0.5