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S/3.0
Polaridad del transistor: Canal P Intensidad drenador continua Id: -6.8 A Voltaje de drenaje- fuente..
S/3.0
S/2.0
Especificaciones: Tipo de FET: MOSFET Polaridad de transistor: P ESPECIFICACIONES MÁXIMAS Pd -..
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S/19.0
Fabricante INTERSIL Tipo de transistor N-MOSFET Polarización unipolar Voltaje de la fuente de drenaj..
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S/5.0
Mosfet HEXFET® de Potencia canal N VDSS = 60V RDS(on) = 200mΩ ID = 10A PD=43 v VGS=± 20 V. Empaqu..
S/5.0
S/4.5
Caracteristicas: Número de Parte: IRGB20B60PD1 Tipo de transistor: IGBT Polaridad de transistor: N-..
S/4.5
S/7.0
Este módulo ISD1820 Módulo de Grabación y Reproducción de Voz basado en el c..
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S/13.0
Botones que controlan el método de grabación de audio Botón REC: botón de grabación, puede mantenerl..
S/13.0
S/3.0
Caracteristicas: Modelo: J13007 encapsulado: TO-220 voltaje colector base:700V voltaje colector emi..
S/3.0
S/21.0
1: JDY-16 utiliza el desarrollo del protocolo BLE 4.2 compatible con BLE5.0, que es mejor que la com..
S/21.0
S/8.0
Descripcion: Juego de 10 llaves hexagonales Allen Tolsen 20051 Marca: Tolsen Código: 20051 Mater..
S/8.0
S/8.0
Descripción: El transistor K10A50D de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET, es un tran..
S/8.0
S/685.0
Descripcion: Kailiwei K10Ei es un microscopio estereoscópico binocular diseñado principalmente para..
S/685.0
S/8.0
Características : 1. Tiempo de resistencia al cortocircuito: 10 us 2. Diseñado para: (1) Convertid..
S/8.0
S/13.0
Caracteristicas: voltaje colector emisor Vce: 1200V corriente de colector Ic: 40A Documentacion:..
S/13.0
S/9.0
Dimensiones: 28 mm * 28 mm * 11 mm Modelo: Puente rectificador de diodos KBPC5010 50A 1000V Corrie..
S/9.0
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