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S/1.0
Especificaciones Los fusibles automotrices ATOF son fáciles de identificar y reemplazar, y so..
S/1.0

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S/2.0
Especificaciones Tipo fusible: Térmico Voltaje máximo: 250 V 10A Tolerancia grados por amperaje: ..
S/2.0

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S/5.0
Descripcion: Termostato bimetálico de contacto normalmente cerrado (NC) (fusible térmico) Los inter..
S/5.0
S/18.0
G60N100 es un transistor con un polo de control de cuarentena que es un componente semiconductor de ..
S/18.0
S/8.0
Caracteristicas: Modelo: H20R1203 Tipo: IGBT Canal: N VCE: 1200V IC: 20A Voltaje de saturación cole..
S/8.0
S/8.0
Caracteristicas: H20R1203 Tipo: IGBT Canal: N VCE: 1200V IC: 20A Ptot: 310W Tvjmáx: 175ºC Encapsu..
S/8.0
S/46.0
CARACTERISTICAS El sensor funciona mediante un principio inductivo, utilizando un inductor interno p..
S/46.0
S/13.0
Polaridad del transistor: Canal N Intensidad drenador continua Id: 110 A Tensión drenaje-fuente Vds:..
S/13.0
S/3.0
MOSFET, N, 400V, 10A, TO-220 * Polaridad del transistor:N * Max Voltage Vds:400V * resistencia activ..
S/3.0
S/15.0
Voltaje máximo de fuente de drenaje (V) 500 Voltaje máximo de fuente de puerta (V) ±30 Corriente de ..
S/15.0
S/8.0
Descripción: El transistor K10A50D de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET, es un tran..
S/8.0
S/5.5
Descripcion: El código K40B65H2A (también conocido como AOK40B65H2AL) corresponde a un transistor IG..
S/5.5
S/9.0
Dimensiones: 28 mm * 28 mm * 11 mm Modelo: Puente rectificador de diodos KBPC5010 50A 1000V Corrie..
S/9.0
S/3.0
Descripcion: El KBU1010 es un puente rectificador de diodos monofásico de onda completa, diseñado p..
S/3.0
S/7.5
Pc - Máxima potencia disipada: 25 W Vce - Tensión máxima colector-emisor: 630 V Vge - Tensión máxima..
S/7.5
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