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Productos que cumplen el criterio de la búsqueda
S/1.0
Especificaciones
Los fusibles automotrices ATOF son fáciles de identificar y reemplazar, y so..
S/1.0
S/18.0
G60N100 es un transistor con un polo de control de cuarentena que es un componente semiconductor de ..
S/18.0
S/8.0
Caracteristicas:
Modelo: H20R1203
Tipo: IGBT
Canal: N
VCE: 1200V
IC: 20A
Voltaje de saturación cole..
S/8.0
S/8.0
Caracteristicas:
H20R1203
Tipo: IGBT
Canal: N
VCE: 1200V
IC: 20A
Ptot: 310W
Tvjmáx: 175ºC
Encapsu..
S/8.0
S/46.0
CARACTERISTICAS
El sensor funciona mediante un principio inductivo, utilizando un inductor interno p..
S/46.0
S/13.0
Polaridad del transistor: Canal N
Intensidad drenador continua Id: 110 A
Tensión drenaje-fuente Vds:..
S/13.0
S/3.0
MOSFET, N, 400V, 10A, TO-220
* Polaridad del transistor:N
* Max Voltage Vds:400V
* resistencia activ..
S/3.0
S/15.0
Voltaje máximo de fuente de drenaje (V) 500
Voltaje máximo de fuente de puerta (V) ±30
Corriente de ..
S/15.0
S/8.0
Descripción:
El transistor K10A50D de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET, es un tran..
S/8.0
S/5.5
Descripcion:
El código K40B65H2A (también conocido como AOK40B65H2AL) corresponde a un transistor IG..
S/5.5
S/9.0
Dimensiones: 28 mm * 28 mm * 11 mm
Modelo: Puente rectificador de diodos KBPC5010 50A 1000V
Corrie..
S/9.0
S/3.0
Descripcion:
El KBU1010 es un puente rectificador de diodos monofásico de onda completa, diseñado p..
S/3.0
S/7.5
Pc - Máxima potencia disipada: 25 W
Vce - Tensión máxima colector-emisor: 630 V
Vge - Tensión máxima..
S/7.5


