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Productos que cumplen el criterio de la búsqueda
S/25.0
Descripción:
Se puede utilizar como onda sinusoidal pura, onda sinusoidal modificada, m&aac..
S/25.0
S/70.0
Especificaciones
Potencia: 500 W.
Entrada: CC 12 V/24 V.
Salida: AC 0-220V-380V y AC18V.
Corriente e..
S/70.0
S/165.0
Caracteristicas:
potencia de salida maxima: 1500W
voltaje de entrada: 12 Vdc( puede ser una bateria..
S/165.0
S/229.0
Caracteristicas:
potencia de salida maxima: 2000W
voltaje de entrada: 12 Vdc( puede ser una bateria..
S/229.0
S/28.0
Caracteristicas:
modelo: M14 PVC
color: negro
voltaje nominal: 250V
corriente maxima: 6 A
tamaño de..
S/28.0
S/5.0
El IR2110 es un circuito integrado controlador de alto voltaje (HVIC) para MOSFET e IGBTs, caracteri..
S/5.0
S/6.0
Descripcion:
El IR2127 es un controlador IGBT y MOSFET de potencia de alta velocidad y alto voltaje..
S/6.0
S/3.0
Caracteristicas:
Tipo: Canal N
Tensión de ruptura de drenaje-fuente: 75 V
Voltaje de compuerta-fu..
S/3.0
S/4.0
Descripcion:
El IRF3710 es un transistor MOSFET de potencia de canal N diseñado para aplicaciones d..
S/4.0
S/2.0
Especificaciones:
Tipo de FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuent..
S/2.0
S/2.0
Especificaciones:
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pd -..
S/2.0
S/12.0
Descripcion
-IRFP360 Power Mosfet Transistor 400V 23A IRFP360PBF
..
S/12.0
S/15.0
Voltaje máximo de fuente de drenaje (V) 500
Voltaje máximo de fuente de puerta (V) ±30
Corriente de ..
S/15.0
S/5.0
Especificaciones:
Tipo de MOSFET: Canal N.
Voltaje (Vds): Hasta 800V.
Corriente (Id): 7.8A.
Resisten..
S/5.0
S/4.5
Tipo IGBT TNP
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 600V
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic ..
S/4.5