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Productos que cumplen el criterio de la búsqueda
S/3.0
Caracteristicas:
Tipo: Canal N
Tensión de ruptura de drenaje-fuente: 75 V
Voltaje de compuerta-fu..
S/3.0
S/13.0
Polaridad del transistor: Canal N
Intensidad drenador continua Id: 110 A
Tensión drenaje-fuente Vds:..
S/13.0
S/4.0
Descripcion:
El IRF3710 es un transistor MOSFET de potencia de canal N diseñado para aplicaciones d..
S/4.0
S/4.0
Caracteristicas:
-Tipo FET: Canal N
-Tecnología: MOSFET (óxido de metal)
-Voltaje de drenaje a fuent..
S/4.0
S/3.0
MOSFET, N, 400V, 10A, TO-220
* Polaridad del transistor:N
* Max Voltage Vds:400V
* resistencia activ..
S/3.0
S/3.0
Polaridad del transistor: Canal P
Intensidad drenador continua Id: -6.8 A
Voltaje de drenaje- fuente..
S/3.0
S/2.0
Especificaciones:
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pd -..
S/2.0
S/19.0
Fabricante INTERSIL
Tipo de transistor N-MOSFET
Polarización unipolar
Voltaje de la fuente de drenaj..
S/19.0
S/5.0
Mosfet HEXFET® de Potencia
canal N
VDSS = 60V
RDS(on) = 200mΩ
ID = 10A
PD=43 v
VGS=± 20 V.
Empaqu..
S/5.0
S/4.5
Caracteristicas:
Número de Parte: IRGB20B60PD1
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N-..
S/4.5
S/7.0
Este módulo ISD1820 Módulo de Grabación y Reproducción de Voz basado en el c..
S/7.0
S/13.0
Botones que controlan el método de grabación de audio
Botón REC: botón de grabación, puede mantenerl..
S/13.0
S/3.0
Caracteristicas:
Modelo: J13007
encapsulado: TO-220
voltaje colector base:700V
voltaje colector emi..
S/3.0
S/21.0
1: JDY-16 utiliza el desarrollo del protocolo BLE 4.2 compatible con BLE5.0, que es mejor que la com..
S/21.0
S/64.5
Modelo: B-BLN1
Voltaje: 7,6 V
Capacidad: 1220 mAh
Compatible con: Olympus OM-D, E-M5, E-M5 Mark II, ..
S/64.5