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Los IR2136/IR21362 son controladores MOSFET e IGBT de potencia de alta velocidad y alto voltaje con ..
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Descripcion: El IR2153 es un controlador IGBT y MOSFET de potencia autooscilante de alto voltaje y ..
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Polaridad del transistor: Canal N Intensidad drenador continua Id: 110 A Tensión drenaje-fuente Vds:..
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Caracteristicas: -Tipo FET: Canal N -Tecnología: MOSFET (óxido de metal) -Voltaje de drenaje a fuent..
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MOSFET, N, 400V, 10A, TO-220 * Polaridad del transistor:N * Max Voltage Vds:400V * resistencia activ..
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Polaridad del transistor: Canal P Intensidad drenador continua Id: -6.8 A Voltaje de drenaje- fuente..
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Fabricante INTERSIL Tipo de transistor N-MOSFET Polarización unipolar Voltaje de la fuente de drenaj..
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Mosfet HEXFET® de Potencia canal N VDSS = 60V RDS(on) = 200mΩ ID = 10A PD=43 v VGS=± 20 V. Empaqu..
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Caracteristicas: Número de Parte: IRGB20B60PD1 Tipo de transistor: IGBT Polaridad de transistor: N-..
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Este módulo ISD1820 Módulo de Grabación y Reproducción de Voz basado en el c..
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Pen12.0
Este módulo basado en el circuito integrado ISD1820 permite la grabación y reproducci&oa..
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Caracteristicas: Modelo: J13007 encapsulado: TO-220 voltaje colector base:700V voltaje colector emi..
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1: JDY-16 utiliza el desarrollo del protocolo BLE 4.2 compatible con BLE5.0, que es mejor que la com..
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Modelo: B-BLN1 Voltaje: 7,6 V Capacidad: 1220 mAh Compatible con: Olympus OM-D, E-M5, E-M5 Mark II, ..
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JK-HSD57 es uno de los modelos de servomotores sencillos de la serie Jkongmotor que puede tomar un v..
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