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Productos que cumplen el criterio de la búsqueda
S/3.0
Polaridad del transistor: Canal P
Intensidad drenador continua Id: -6.8 A
Voltaje de drenaje- fuente..
S/3.0
S/2.0
Especificaciones:
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pd -..
S/2.0
S/9.0
El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxi..
S/9.0
S/19.0
Fabricante INTERSIL
Tipo de transistor N-MOSFET
Polarización unipolar
Voltaje de la fuente de drenaj..
S/19.0
S/5.0
Especificaciones:
Tipo de MOSFET: Canal N.
Voltaje (Vds): Hasta 800V.
Corriente (Id): 7.8A.
Resisten..
S/5.0
S/2.0
Descripcion:
El IRL530 es un MOSFET de potencia de canal N, diseñado para aplicaciones industriales..
S/2.0
S/3.0
Tipo de transistor: MOSFET N‑Channel
Voltaje drenador‑fuente máximo (VDS): 30 V
Voltaje puerta‑fuent..
S/3.0
S/3.0
compatible con modulos de 3.3V
Tipo: MOSFET de canal N
Tensión drenaje‑fuente (V₍DSS₎): 55 V
Corrie..
S/3.0
S/19.0
El IRS2092 es un controlador de amplificador de audio Clase D de alto voltaje y alto rendimiento con..
S/19.0
S/46.0
Descripcion:
La tarjeta IRS2092S se distingue como un amplificador monofónico de alta potencia de t..
S/46.0
S/10.0
El IRS20957S es un driver de audio de alta eficiencia para amplificadores clase D, con capacidad de ..
S/10.0
S/13.0
Botones que controlan el método de grabación de audio
Botón REC: botón de grabación, puede mantenerl..
S/13.0
S/4.0
Descripcion:
El IXFP22N65X2 de IXYS es un transistor MOSFET de canal N de la serie Ultra Junction ..
S/4.0
S/50.0
J-Link- OB SEGGER desarrollador
soporta JTAG o SWD dispositivo de comunicación puede soportar la des..
S/50.0
S/3.0
Caracteristicas:
Modelo: J13007
encapsulado: TO-220
voltaje colector base:700V
voltaje colector emi..
S/3.0