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Caracteristicas: -Tipo FET: Canal N -Tecnología: MOSFET (óxido de metal) -Voltaje de drenaje a fuent..
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MOSFET, N, 400V, 10A, TO-220 * Polaridad del transistor:N * Max Voltage Vds:400V * resistencia activ..
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Polaridad del transistor: Canal P Intensidad drenador continua Id: -6.8 A Voltaje de drenaje- fuente..
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El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxi..
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Fabricante INTERSIL Tipo de transistor N-MOSFET Polarización unipolar Voltaje de la fuente de drenaj..
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Descripcion -IRFP360 Power Mosfet Transistor 400V 23A IRFP360PBF ..
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Voltaje máximo de fuente de drenaje (V) 500 Voltaje máximo de fuente de puerta (V) ±30 Corriente de ..
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Mosfet HEXFET® de Potencia canal N VDSS = 60V RDS(on) = 200mΩ ID = 10A PD=43 v VGS=± 20 V. Empaqu..
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ipo de Canal N Corriente Máxima Continua de Drenaje 17 A Tensión Máxima Drenador-Fuente 55 V Resiste..
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Caracteristicas: Número de Parte: IRG4BC20KD Tipo de transistor: IGBT + Diode Polaridad de transist..
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Tipo IGBT TNP Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 600V Vce (on) (Max) @ Vge, Ic ..
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Caracteristicas: Número de Parte: IRGB20B60PD1 Tipo de transistor: IGBT Polaridad de transistor: N-..
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El IRS2092 es un controlador de amplificador de audio Clase D de alto voltaje y alto rendimiento con..
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Descripcion: La tarjeta IRS2092S se distingue como un amplificador monofónico de alta potencia de t..
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Asistencia de aire oficial SCULPFUN S9: Esta es una boquilla de asistencia de aire S9 estándar diseñ..
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