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S/3.0
El MJE2955T es un transistor de potencia PNP de base epitaxial de silicio de -60 V diseñado para cir..
S/3.0
S/18.0
Están diseñados para la conmutación de cargas de potencia de hasta 250VAC. Las entradas de control s..
S/18.0
S/32.0
ESPECIFICACIONES DEL PRODUCTO:
Tensión de alimentación: 5V
Corriente de reposo: 5mA
Cor..
S/32.0
S/56.0
Esto se Ensambla Junta
Tamaño: 74mm x 77.8mm
Voltaje de entrada: DC 12 V-30 V
Requisitos de..
S/56.0
S/14.0
Estos MOSFET de potencia han sido desarrollados utilizando el exclusivo proceso STripFET de STMicroe..
S/14.0
S/4.5
Esta serie de MOSFET de potencia realizada con el proceso STripFET™ exclusivo de STMicroelectronics ..
S/4.5
S/1.0
Descripcion:
El PHD3055E es un transistor de potencia de efecto de campo (MOSFET) de canal N, fabri..
S/1.0
S/4.0
Caracteristicas:
medida del cable: 16 AWG
corriente del fusible: 10A
tamaño del cable: 30cm
..
S/4.0
S/0.7
Especificaciones:
- Salida fija de 4,94 V ± 3 %
- Rango VIN: de 2,7 V a 4,5 V
- Corriente de salida:..
S/0.7


