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Productos que cumplen el criterio de la búsqueda
S/1.5
Especificaciones:
modelo: kcd1-105 20mm
color: variado
pines: 3 pines
corriente nominal:6A
voltaje ..
S/1.5
S/46.0
interruptor inalámbrico Xiaomi (Versión Bluetooth)
Tamaño del producto: 50x50x13mm
Especificaciones ..
S/46.0
S/5.0
El IR2110 es un circuito integrado controlador de alto voltaje (HVIC) para MOSFET e IGBTs, caracteri..
S/5.0
S/6.0
Descripcion:
El IR2127 es un controlador IGBT y MOSFET de potencia de alta velocidad y alto voltaje..
S/6.0
S/12.0
Descripcion:
el integrado IR es un controlador de alta velocidad y alto voltaje de mosfet e igbt ..
S/12.0
S/15.0
Los IR2136/IR21362 son controladores MOSFET e IGBT de potencia de alta velocidad y alto voltaje con ..
S/15.0
S/4.0
Descripcion:
El IR2153 es un controlador IGBT y MOSFET de potencia autooscilante de alto voltaje y ..
S/4.0
S/3.0
Caracteristicas:
Tipo: Canal N
Tensión de ruptura de drenaje-fuente: 75 V
Voltaje de compuerta-fu..
S/3.0
S/13.0
Polaridad del transistor: Canal N
Intensidad drenador continua Id: 110 A
Tensión drenaje-fuente Vds:..
S/13.0
S/4.0
Descripcion:
El IRF3710 es un transistor MOSFET de potencia de canal N diseñado para aplicaciones d..
S/4.0
S/5.5
Este módulo IRF520 Mosfet Driver es fácil de conectar a su Arduino u otro microcontrolad..
S/5.5
S/5.5
Descripcion:
Diseñado especialmente para aplicaciones de alto voltaje y alta velocidad,
como fuente..
S/5.5
S/28.0
Un Power MOSFET es un dispositivo electrónico con buenas características de conmutaci&oa..
S/28.0
S/3.0
especificaciones
Disipación total del dispositivo (Pd): 150 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 100 V
Te..
S/3.0
S/2.5
Especificacion
“Tipo: MOSFET de canal N.
Tensión de drenaje-fuente (Vds): 200 V.
Corriente máxima de..
S/2.5