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Transistores y amplificadores

Transistores y amplificadores

El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor utilizado para entregar una señal de salida en respuesta a una señal de entrada. Cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador.

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S/21.0
Descripcion: El BTA24 800B es un triac estándar empleado en aplicaciones de corriente alterna de on..
S/21.0

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S/2.0
Especificaciones Tipo - NPN Voltaje colector-emisor: 50 V Voltaje colector-base: 60 V Voltaje de..
S/2.0
S/4.0
Caracteristicas: -Integra un oscilador (VCO) y dos comparadores de fase diferentes con una entrada d..
S/4.0
S/2.0
MOSFET de potencia de canal N de silicio CS830 A4RD ○R Descripción general: CS830 A4RD, los VDMOSFET..
S/2.0
S/3.0
1. Con paquete TO-220F 2. Complemento al tipo 2SB1366 3. Bajo voltaje de saturación del colector: V..
S/3.0
S/2.5
Descripción general La serie DS7545X de controladores periféricos duales es una familia de dispositi..
S/2.5
S/1.0
Encapsulado so-t23 Polaridad PNP Voltaje de alimentación -50V Voltaje de entrada -20V - +7V Corrient..
S/1.0
S/4.0
El modo de funcionamiento se puede cambiar entre el modo de ráfaga y el modo normal mediante la seña..
S/4.0
S/13.0
ESPECIFICACIÓN Y CARACTERÍSTICAS Tipo: Transistor IGBT Numero de serie: 60N60 Paquete: TO-247AB-3 Es..
S/13.0
S/0.5
Repetición de pico. Voltaje inverso (Vrrm): 1000V máx. Voltaje inverso RMS (Vr): 700V Corriente Rect..
S/0.5
S/7.0
Caracteristicas: Con aislamiento de optoacoplador, la señal de control y la potencia del ..
S/7.0
S/10.0
Drive voltage : 10 V VDSS : 250 V rDS(ON) (max) : 0.19 ID : 20 A ..
S/10.0
S/11.5
Modelo: FSFR2100XS Estilo de montaje: Through Hole Paquete / Cubierta: SIP-9 Potencia de salida: ..
S/11.5
S/18.0
G60N100 es un transistor con un polo de control de cuarentena que es un componente semiconductor de ..
S/18.0
S/4.0
Modelo: GT30F126 Tipo: IGBT Polaridad de transistor: N Pc - Máxima potencia disipada: 18 W Vce - Ten..
S/4.0
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