Transistores y amplificadores
El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor utilizado para entregar una señal de salida en respuesta a una señal de entrada. Cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador.
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S/21.0
Descripcion:
El BTA24 800B es un triac estándar empleado en aplicaciones de corriente alterna de on..
S/21.0
S/4.0
Caracteristicas:
-Integra un oscilador (VCO) y dos comparadores de fase diferentes con una entrada d..
S/4.0
S/2.0
MOSFET de potencia de canal N de silicio CS830 A4RD ○R
Descripción general: CS830 A4RD, los VDMOSFET..
S/2.0
S/3.0
1. Con paquete TO-220F
2. Complemento al tipo 2SB1366
3. Bajo voltaje de saturación del colector: V..
S/3.0
S/2.5
Descripción general
La serie DS7545X de controladores periféricos duales es una familia de dispositi..
S/2.5
S/1.0
Encapsulado so-t23
Polaridad PNP
Voltaje de alimentación -50V
Voltaje de entrada -20V - +7V
Corrient..
S/1.0
S/4.0
El modo de funcionamiento se puede cambiar entre el modo de ráfaga y el modo normal mediante la seña..
S/4.0
S/13.0
ESPECIFICACIÓN Y CARACTERÍSTICAS
Tipo: Transistor IGBT
Numero de serie: 60N60
Paquete: TO-247AB-3
Es..
S/13.0
S/0.5
Repetición de pico. Voltaje inverso (Vrrm): 1000V
máx. Voltaje inverso RMS (Vr): 700V
Corriente Rect..
S/0.5
S/7.0
Caracteristicas:
Con aislamiento de optoacoplador, la señal de control y la potencia del ..
S/7.0
S/10.0
S/11.5
Modelo: FSFR2100XS
Estilo de montaje: Through Hole
Paquete / Cubierta: SIP-9
Potencia de salida: ..
S/11.5
S/18.0
G60N100 es un transistor con un polo de control de cuarentena que es un componente semiconductor de ..
S/18.0
S/4.0
Modelo: GT30F126
Tipo: IGBT
Polaridad de transistor: N
Pc - Máxima potencia disipada: 18 W
Vce - Ten..
S/4.0


