Estos MOSFET de potencia han sido desarrollados utilizando el exclusivo proceso STripFET de STMicroelectronics, diseñado específicamente para minimizar la capacidad de entrada y la carga de la puerta. Esto hace que los dispositivos sean adecuados para su uso como conmutador primario en convertidores DCDC aislados de alta eficiencia avanzada para aplicaciones de telecomunicaciones e informática y aplicaciones con requisitos de conducción de carga de puerta baja

DATASHEET: P55NF06.pdf