Descripcion:

El RD70HVF1-101 es un transistor de potencia de RF Mitsubishi diseñado para circuitos amplificadores de potencia de alta frecuencia VHF / UHF. Este transistor está diseñado específicamente para su uso en el rango de frecuencia VHF, con un rango de frecuencia de 136-174 MHz.

El transistor RD70HVF1-101 es un componente confiable y de alto rendimiento que ofrece un excelente rendimiento en una amplia gama de aplicaciones de amplificadores de potencia VHF. Su alta potencia de salida, rango de frecuencia y circuito de adaptación integrado lo convierten en una opción popular para diversos sistemas de radiocomunicación

ESPECIFICACIONES TECNICAS:

Referencia: RD70HVF1
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
• Alta potencia y alta ganancia: Pout 70W, Gp 10.6dB @ Vdd = 12.5V, f = 175MHz Pout 50W, Gp 7.0dB @ Vdd = 12.5V, f = 520MHz
• Alta eficiencia: 60% de typ.on Banda VHF
• Alta eficiencia: 55% de frecuencia de banda UHF
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 150 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
Corriente continua de drenaje (Id): 20 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C