Transistores y amplificadores
El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor utilizado para entregar una señal de salida en respuesta a una señal de entrada. Cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador.
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S/9.0
Descripcion:
El OSG65R099HZ es un MOSFET (Transistor de Efecto de Campo Metal-Óxido-Semiconductor) ..
S/9.0
S/14.0
Estos MOSFET de potencia han sido desarrollados utilizando el exclusivo proceso STripFET de STMicroe..
S/14.0
S/4.5
Esta serie de MOSFET de potencia realizada con el proceso STripFET™ exclusivo de STMicroelectronics ..
S/4.5
S/0.5
Estos kits de almohadillas termicas TO-220 proporcionan una almohadilla termica de silicona y una ar..
S/0.5
S/1.0
Este optoacoplador permite hacer un aislamiento entre dos etapas de un circuito. De un canal
Un opt..
S/1.0
S/1.0
Descripcion:
El PHD3055E es un transistor de potencia de efecto de campo (MOSFET) de canal N, fabri..
S/1.0
S/39.5
DIP-IPMs son módulos de potencia inteligentes que integran dispositivos de potencia, controladores y..
S/39.5
S/180.0
Descripcion:
El RD70HVF1-101 es un transistor de potencia de RF Mitsubishi diseñado para circuitos ..
S/180.0
S/5.0
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 60 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 630 V
|Vge|ⓘ - T..
S/5.0
S/2.5
Corriente de Encendido Medio Nominal 20A
Tipo de Tiristor SCR
Tipo de Encapsulado TO-220
Tensión Inv..
S/2.5
S/2.0
Caracteristicas
Transistor NPN de bajo voltaje y alta corriente
Pequeño transistor de se&nti..
S/2.0
S/0.5
Polaridad de transistor: PNP
Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W
Tensión colect..
S/0.5
S/0.5
Transistor Bipolar (BJT) PNP
Dispositivo diseñado para operar como amplificador de audio
hFE..
S/0.5
S/0.5
Características:
Transistor Bipolar (BJT) NPN
Dispositivo diseñado para operar como am..
S/0.5
S/2.0
Especificaciones
Nombre del producto: Transistor SOT23.
Ic: 100 mA Vceo: 45 V HFE: 200 - 400 PCM: ..
S/2.0