Fotodiodo PIN de silicio, rango de 600 a 1050 nm, pico de 900 nm, gran área sensible radiante (A = 7,5 mm2), gran ángulo de media sensibilidad. = ± 65°, tr=100ns, tf=100ns, Vr=60V, Pv= 215mW, Forma: BPW34
Fotodiodo PIN de silicio, rango de 600 a 1050 nm, pico de 900 nm, gran área sensible radiante (A = 7,5 mm2), gran ángulo de media sensibilidad. = ± 65°, tr=100ns, tf=100ns, Vr=60V, Pv= 215mW, Forma: BPW34
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