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S/46.0
interruptor inalámbrico Xiaomi (Versión Bluetooth)
Tamaño del producto: 50x50x13mm
Especificaciones ..
S/46.0
S/25.0
Descripción:
Se puede utilizar como onda sinusoidal pura, onda sinusoidal modificada, m&aac..
S/25.0
S/70.0
Especificaciones
Potencia: 500 W.
Entrada: CC 12 V/24 V.
Salida: AC 0-220V-380V y AC18V.
Corriente e..
S/70.0
S/165.0
Caracteristicas:
potencia de salida maxima: 1500W
voltaje de entrada: 12 Vdc( puede ser una bateria..
S/165.0
S/229.0
Caracteristicas:
potencia de salida maxima: 2000W
voltaje de entrada: 12 Vdc( puede ser una bateria..
S/229.0
S/3.0
Es un chip de compartimento de carga TWS que puede admitir una personalización profunda, como la com..
S/3.0
S/28.0
Caracteristicas:
modelo: M14 PVC
color: negro
voltaje nominal: 250V
corriente maxima: 6 A
tamaño de..
S/28.0
S/6.0
Descripcion:
El IR2127 es un controlador IGBT y MOSFET de potencia de alta velocidad y alto voltaje..
S/6.0
S/4.0
Descripcion:
El IR2153 es un controlador IGBT y MOSFET de potencia autooscilante de alto voltaje y ..
S/4.0
S/13.0
Polaridad del transistor: Canal N
Intensidad drenador continua Id: 110 A
Tensión drenaje-fuente Vds:..
S/13.0
S/3.0
Descripcion:
Diseñado especialmente para aplicaciones de alto voltaje y alta velocidad,
como fuente..
S/3.0
S/28.0
Un Power MOSFET es un dispositivo electrónico con buenas características de conmutaci&oa..
S/28.0
S/3.0
especificaciones
Disipación total del dispositivo (Pd): 150 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 100 V
Te..
S/3.0
S/4.0
Caracteristicas:
-Tipo FET: Canal N
-Tecnología: MOSFET (óxido de metal)
-Voltaje de drenaje a fuent..
S/4.0
S/3.0
MOSFET, N, 400V, 10A, TO-220
* Polaridad del transistor:N
* Max Voltage Vds:400V
* resistencia activ..
S/3.0