Búsqueda
Productos que cumplen el criterio de la búsqueda
S/9.0
El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxi..
S/9.0
S/19.0
Fabricante INTERSIL
Tipo de transistor N-MOSFET
Polarización unipolar
Voltaje de la fuente de drenaj..
S/19.0
S/5.0
Especificaciones:
Tipo de MOSFET: Canal N.
Voltaje (Vds): Hasta 800V.
Corriente (Id): 7.8A.
Resisten..
S/5.0
S/2.0
Descripcion:
El IRL530 es un MOSFET de potencia de canal N, diseñado para aplicaciones industriales..
S/2.0
S/4.0
Descripcion:
El IXFP22N65X2 de IXYS es un transistor MOSFET de canal N de la serie Ultra Junction ..
S/4.0
S/5.5
Descripcion:
El código K40B65H2A (también conocido como AOK40B65H2AL) corresponde a un transistor IG..
S/5.5
S/7.5
Pc - Máxima potencia disipada: 25 W
Vce - Tensión máxima colector-emisor: 630 V
Vge - Tensión máxima..
S/7.5
S/30.0
Descripcion:
El amplificador de potencia de canal, el diseño de la fuente de alimentación es potenc..
S/30.0
S/4.5
DESCRIPCIÓN:
Este módulo relé de un canal dispone de un transistor para su activación, lo que quier..
S/4.5
S/0.6
Especificaciones:
Tipo: MOSFET de canal N (N-Channel).
Encapsulado: SOT-23 (montaje superficial).
..
S/0.6
S/15.0
función: el uso de control de bajo nivel de alto nivel. tales como el uso de un solo chip mi..
S/15.0
S/55.0
Tarjeta de rele opto acoplada, incluye 16 canales para ser controlados en forma remota. Ideal para c..
S/55.0
S/7.0
Parámetros del producto
1. Trabajo de la tensión: 24 v
2. Quiescent actual: 5mA
3. Maxim..
S/7.0
S/4.5
Descripcion:
Este módulo de relé de 1 canal de 5 V con disparador de nivel bajo es un pequeño dispo..
S/4.5