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Productos que cumplen el criterio de la búsqueda
Pen4.0
Caracteristicas:
modelo: FQP7N60
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES M..
Pen4.0
Pen21.0
Caracteristicas del producto
Para microcontroladores sin un convertidor analógico a digital..
Pen21.0
Pen19.0
Características
• Tecnología reflectante
• Contorno pequeño de montaje en superficie
Paquete sin plo..
Pen19.0
Pen5.0
Número de Parte: AOD406- D412YXBF3C
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES..
Pen5.0
Pen0.5
Caracteristicas:
material: Cuerpo de acero al cromo y cuchilla de carburo de tungsteno
Zanco: 1/4"(6..
Pen0.5
Pen0.5
Modelo: GT30F126
Tipo: IGBT
Polaridad de transistor: N
Pc - Máxima potencia disipada: 18 W
Vce - Ten..
Pen0.5
Pen893.0
El HT-M7603 es un gateway LoRaWAN estándar para interiores de alta relación calidad-precio que se pu..
Pen893.0
Pen26.0
El INA3221 es un monitor de voltaje de bus y corriente de tres canales con una interfaz compatible c..
Pen26.0
Pen3.0
Descripcion:
Diseñado especialmente para aplicaciones de alto voltaje y alta velocidad,
como fuente..
Pen3.0
Pen28.0
Un Power MOSFET es un dispositivo electrónico con buenas características de conmutaci&oa..
Pen28.0
Pen3.0
especificaciones
Disipación total del dispositivo (Pd): 150 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 100 V
Te..
Pen3.0
Pen3.0
Polaridad del transistor: Canal P
Intensidad drenador continua Id: -6.8 A
Voltaje de drenaje- fuente..
Pen3.0
Pen9.0
El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxi..
Pen9.0