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S/2.0
Especificaciones:
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pd -..
S/2.0
S/9.0
El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxi..
S/9.0
S/19.0
Fabricante INTERSIL
Tipo de transistor N-MOSFET
Polarización unipolar
Voltaje de la fuente de drenaj..
S/19.0
S/12.0
Descripcion
-IRFP360 Power Mosfet Transistor 400V 23A IRFP360PBF
..
S/12.0
S/19.0
Voltaje máximo de fuente de drenaje (V) 500
Voltaje máximo de fuente de puerta (V) ±30
Corriente de ..
S/19.0
S/5.0
Mosfet HEXFET® de Potencia
canal N
VDSS = 60V
RDS(on) = 200mΩ
ID = 10A
PD=43 v
VGS=± 20 V.
Empaqu..
S/5.0
S/3.0
ipo de Canal N
Corriente Máxima Continua de Drenaje 17 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente 55 V
Resiste..
S/3.0
S/4.5
Tipo IGBT TNP
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 600V
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic ..
S/4.5
S/0.0
Tipo de transistor: MOSFET N‑Channel
Voltaje drenador‑fuente máximo (VDS): 30 V
Voltaje puerta‑fuent..
S/0.0
S/46.0
Descripcion:
La tarjeta IRS2092S se distingue como un amplificador monofónico de alta potencia de t..
S/46.0
S/7.0
Este módulo ISD1820 Módulo de Grabación y Reproducción de Voz basado en el c..
S/7.0
S/0.0
Compatible con baterías de 2 a 4 celdas de litio.
Interfaz de comunicación: SMBus / I²C para monitor..
S/0.0
S/50.0
J-Link- OB SEGGER desarrollador
soporta JTAG o SWD dispositivo de comunicación puede soportar la des..
S/50.0
S/3.0
Caracteristicas:
Modelo: J13007
encapsulado: TO-220
voltaje colector base:700V
voltaje colector emi..
S/3.0
S/29.5
El JCV8034 es un innovador amplificador de potencia de audio de clase AB con tecnología MOSFET en pa..
S/29.5