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S/0.5
10A10 Diodo Rectificador 1000V - 10A Encapsulado R-6, es un Diodo de Silicio de Proposito General co..
S/0.5
S/1.0
Descripcion:
Transistor de proposito general a1266
Documentacion:
Características:
1. Excelente l..
S/1.0
S/8.0
Polaridad del transistor: PNP
Voltaje colector base VCBO: -230 V
Voltaje colector emisor VCEO: -230 ..
S/8.0
S/22.0
Su arquitectura basada en arquitectura RISC mejorada. Se ha incorporado con 131 poderosas instruccio..
S/22.0
S/10.0
Modelo: hx-3s -JHA10
Rango de presión de sobrecarga: 4.25-4.35v + / – 0.05v
Tamaño: 51 * 16 * 2,7 mm..
S/10.0
S/6.0
El BTA12 es un TRIAC de 3 pines con aislamiento sin rebobinado para conmutación de corriente a..
S/6.0
S/1.0
Encapsulado so-t23
Polaridad PNP
Voltaje de alimentación -50V
Voltaje de entrada -20V - +7V
Corrient..
S/1.0
S/16.0
El INA106 es un amplificador diferencial monolítico de ganancia = 10 que consta de un amplificador o..
S/16.0
S/20.0
Número de canales: 1 canal
Ancho de banda de 3dB: 200kHz
SR - Velocidad de rotación: 4 V/nosotros ..
S/20.0
S/8.5
Descripcion:
Esta combinación corresponde a un par complementario de transistores de potencia de si..
S/8.5
S/3.0
transistor bipolar 2SC4793
Tipo: NPN
Tensión colector-emisor: 230 V
Voltaje colector-base: 230 ..
S/3.0
S/10.0
Caracteristicas:
Potencia: (1-3) x 1W
Voltaje de entrada: 85-265 V / 50-60 Hz
Voltaje de salida: 12..
S/10.0


