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S/13.0
ESPECIFICACIÓN Y CARACTERÍSTICAS
Tipo: Transistor IGBT
Numero de serie: 60T65PES
Paquete: TO-247AB-3..
S/13.0
S/13.0
ESPECIFICACIÓN Y CARACTERÍSTICAS
Tipo: Transistor IGBT
Numero de serie: 60N60
Paquete: TO-247AB-3
Es..
S/13.0
S/18.0
G60N100 es un transistor con un polo de control de cuarentena que es un componente semiconductor de ..
S/18.0
S/4.0
Modelo: GT30F126
Tipo: IGBT
Polaridad de transistor: N
Pc - Máxima potencia disipada: 18 W
Vce - Ten..
S/4.0
S/8.0
Caracteristicas:
Modelo: H20R1203
Tipo: IGBT
Canal: N
VCE: 1200V
IC: 20A
Voltaje de saturación cole..
S/8.0
S/8.0
Caracteristicas:
H20R1203
Tipo: IGBT
Canal: N
VCE: 1200V
IC: 20A
Ptot: 310W
Tvjmáx: 175ºC
Encapsu..
S/8.0
S/15.0
Los IR2136/IR21362 son controladores MOSFET e IGBT de potencia de alta velocidad y alto voltaje con ..
S/15.0
S/4.0
Descripcion:
El IR2153 es un controlador IGBT y MOSFET de potencia autooscilante de alto voltaje y ..
S/4.0
S/4.5
Tipo IGBT TNP
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 600V
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic ..
S/4.5
S/5.5
Caracteristicas:
-Model: K40H1203
-Corriente: 40A
-Voltaje: 1200V
DATASHEET
..
S/5.5
S/13.0
Caracteristicas:
voltaje colector emisor Vce: 1200V
corriente de colector Ic: 40A
Documentacion:..
S/13.0
S/39.5
DIP-IPMs son módulos de potencia inteligentes que integran dispositivos de potencia, controladores y..
S/39.5
S/5.0
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 60 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 630 V
|Vge|ⓘ - T..
S/5.0
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