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Caracteristicas: modelo: FQP7N60 Tipo de FET: MOSFET Polaridad de transistor: N ESPECIFICACIONES M..
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Número de Parte: AOD406- D412YXBF3C Tipo de FET: MOSFET Polaridad de transistor: N ESPECIFICACIONES..
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Descripcion: El módulo incluye un optoaislador PC817 que proporciona aislamiento eléctrico entre el..
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La placa es de alta potencia MOS interruptor de activación del módulo y la placa de cont..
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APT5010LVR es una nueva generación de MOSFET de potencia en modo mejorado de canal N de alto voltaje..
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Especificaciones Estilo de montaje: SMD/SMT Paquete / Cubierta: PG-SOT-223-4 Polaridad del tran..
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Pen11.0
Caracteristicas: Con aislamiento de optoacoplador, la señal de control y la potencia del ..
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Drive voltage : 10 V VDSS : 250 V rDS(ON) (max) : 0.19 ID : 20 A ..
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El ICL7667 es un controlador dual monolítico de alta velocidad diseñado para convertir señales de ni..
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Descripcion: El IR2127 es un controlador IGBT y MOSFET de potencia de alta velocidad y alto voltaje..
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Descripcion: El IR2153 es un controlador IGBT y MOSFET de potencia autooscilante de alto voltaje y ..
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Polaridad del transistor: Canal N Intensidad drenador continua Id: 110 A Tensión drenaje-fuente Vds:..
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Este módulo IRF520 Mosfet Driver es fácil de conectar a su Arduino u otro microcontrolad..
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Descripcion: Diseñado especialmente para aplicaciones de alto voltaje y alta velocidad, como fuente..
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Un Power MOSFET es un dispositivo electrónico con buenas características de conmutaci&oa..
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