Especificaciones:

Número de canales: 1 canal
Polaridad del transistor: Canal N
Tensión de ruptura drenador-fuente (Vds): 500 V
Corriente de drenaje continua (Id): 8 A
Resistencia de drenaje-fuente (Rds On): 850 mOhms
Voltaje de compuerta-fuente (Vgs): 20 V
Carga de compuerta (Qg): 39 nC
Rango de temperatura de funcionamiento: -65 – 150 °C
Disipación de potencia (Pd): 125 W