Transistores y amplificadores
El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor utilizado para entregar una señal de salida en respuesta a una señal de entrada. Cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador.
DESCARGAR CATALOGO (22/Apr/2025)
Pen4.0
Modelo: GT30F126
Tipo: IGBT
Polaridad de transistor: N
Pc - Máxima potencia disipada: 18 W
Vce - Ten..
Pen4.0
Pen8.0
Caracteristicas:
Modelo: H20R1203
Tipo: IGBT
Canal: N
VCE: 1200V
IC: 20A
Voltaje de saturación cole..
Pen8.0
Pen8.0
Caracteristicas:
H20R1203
Tipo: IGBT
Canal: N
VCE: 1200V
IC: 20A
Ptot: 310W
Tvjmáx: 175ºC
Encapsu..
Pen8.0
Pen6.0
Descripcion:
El IR2127 es un controlador IGBT y MOSFET de potencia de alta velocidad y alto voltaje..
Pen6.0
Pen12.0
Descripcion:
el integrado IR es un controlador de alta velocidad y alto voltaje de mosfet e igbt ..
Pen12.0
Pen15.0
Los IR2136/IR21362 son controladores MOSFET e IGBT de potencia de alta velocidad y alto voltaje con ..
Pen15.0
Pen4.0
Descripcion:
El IR2153 es un controlador IGBT y MOSFET de potencia autooscilante de alto voltaje y ..
Pen4.0
Pen13.0
Polaridad del transistor: Canal N
Intensidad drenador continua Id: 110 A
Tensión drenaje-fuente Vds:..
Pen13.0
Pen5.5
Este módulo IRF520 Mosfet Driver es fácil de conectar a su Arduino u otro microcontrolad..
Pen5.5
Pen4.5
Descripcion:
Diseñado especialmente para aplicaciones de alto voltaje y alta velocidad,
como fuente..
Pen4.5
Pen28.0
Un Power MOSFET es un dispositivo electrónico con buenas características de conmutaci&oa..
Pen28.0
Pen3.0
especificaciones
Disipación total del dispositivo (Pd): 150 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 100 V
Te..
Pen3.0
Pen4.0
Caracteristicas:
-Tipo FET: Canal N
-Tecnología: MOSFET (óxido de metal)
-Voltaje de drenaje a fuent..
Pen4.0
Pen3.0
MOSFET, N, 400V, 10A, TO-220
* Polaridad del transistor:N
* Max Voltage Vds:400V
* resistencia activ..
Pen3.0
Pen3.0
Polaridad del transistor: Canal P
Intensidad drenador continua Id: -6.8 A
Voltaje de drenaje- fuente..
Pen3.0