Transistores y amplificadores
El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor utilizado para entregar una señal de salida en respuesta a una señal de entrada. Cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador.
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S/13.0
ESPECIFICACIÓN Y CARACTERÍSTICAS
Tipo: Transistor IGBT
Numero de serie: 60N60
Paquete: TO-247AB-3
Es..
S/13.0
S/0.5
Repetición de pico. Voltaje inverso (Vrrm): 1000V
máx. Voltaje inverso RMS (Vr): 700V
Corriente Rect..
S/0.5
S/7.0
Caracteristicas:
Con aislamiento de optoacoplador, la señal de control y la potencia del ..
S/7.0
S/10.0
S/11.5
Modelo: FSFR2100XS
Estilo de montaje: Through Hole
Paquete / Cubierta: SIP-9
Potencia de salida: ..
S/11.5
S/18.0
G60N100 es un transistor con un polo de control de cuarentena que es un componente semiconductor de ..
S/18.0
S/4.0
Modelo: GT30F126
Tipo: IGBT
Polaridad de transistor: N
Pc - Máxima potencia disipada: 18 W
Vce - Ten..
S/4.0
S/8.0
Caracteristicas:
Modelo: H20R1203
Tipo: IGBT
Canal: N
VCE: 1200V
IC: 20A
Voltaje de saturación cole..
S/8.0
S/8.0
Caracteristicas:
H20R1203
Tipo: IGBT
Canal: N
VCE: 1200V
IC: 20A
Ptot: 310W
Tvjmáx: 175ºC
Encapsu..
S/8.0
S/5.0
El IR2110 es un circuito integrado controlador de alto voltaje (HVIC) para MOSFET e IGBTs, caracteri..
S/5.0
S/6.0
Descripcion:
El IR2127 es un controlador IGBT y MOSFET de potencia de alta velocidad y alto voltaje..
S/6.0
S/12.0
Descripcion:
el integrado IR es un controlador de alta velocidad y alto voltaje de mosfet e igbt ..
S/12.0
S/15.0
Los IR2136/IR21362 son controladores MOSFET e IGBT de potencia de alta velocidad y alto voltaje con ..
S/15.0
S/4.0
Descripcion:
El IR2153 es un controlador IGBT y MOSFET de potencia autooscilante de alto voltaje y ..
S/4.0
S/3.0
Caracteristicas:
Tipo: Canal N
Tensión de ruptura de drenaje-fuente: 75 V
Voltaje de compuerta-fu..
S/3.0