Transistores y amplificadores
El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor utilizado para entregar una señal de salida en respuesta a una señal de entrada. Cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador.
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S/11.5
Modelo: FSFR2100XS
Estilo de montaje: Through Hole
Paquete / Cubierta: SIP-9
Potencia de salida: ..
S/11.5
S/18.0
G60N100 es un transistor con un polo de control de cuarentena que es un componente semiconductor de ..
S/18.0
S/0.0
Características:
1. Estructura del molde de pasivación de vidrio
2. Alta rigidez dieléctrica de ca..
S/0.0
S/4.0
Modelo: GT30F126
Tipo: IGBT
Polaridad de transistor: N
Pc - Máxima potencia disipada: 18 W
Vce - Ten..
S/4.0
S/8.0
Caracteristicas:
Modelo: H20R1203
Tipo: IGBT
Canal: N
VCE: 1200V
IC: 20A
Voltaje de saturación cole..
S/8.0
S/8.0
Caracteristicas:
H20R1203
Tipo: IGBT
Canal: N
VCE: 1200V
IC: 20A
Ptot: 310W
Tvjmáx: 175ºC
Encapsu..
S/8.0
S/5.0
El IR2110 es un circuito integrado controlador de alto voltaje (HVIC) para MOSFET e IGBTs, caracteri..
S/5.0
S/6.0
Descripcion:
El IR2127 es un controlador IGBT y MOSFET de potencia de alta velocidad y alto voltaje..
S/6.0
S/12.0
Descripcion:
el integrado IR es un controlador de alta velocidad y alto voltaje de mosfet e igbt ..
S/12.0
S/15.0
Los IR2136/IR21362 son controladores MOSFET e IGBT de potencia de alta velocidad y alto voltaje con ..
S/15.0
S/4.0
Descripcion:
El IR2153 es un controlador IGBT y MOSFET de potencia autooscilante de alto voltaje y ..
S/4.0
S/3.0
Caracteristicas:
Tipo: Canal N
Tensión de ruptura de drenaje-fuente: 75 V
Voltaje de compuerta-fu..
S/3.0
S/13.0
Polaridad del transistor: Canal N
Intensidad drenador continua Id: 110 A
Tensión drenaje-fuente Vds:..
S/13.0
S/5.5
Este módulo IRF520 Mosfet Driver es fácil de conectar a su Arduino u otro microcontrolad..
S/5.5
S/5.5
Descripcion:
Diseñado especialmente para aplicaciones de alto voltaje y alta velocidad,
como fuente..
S/5.5