Transistores y amplificadores
El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor utilizado para entregar una señal de salida en respuesta a una señal de entrada. Cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador.
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Un Power MOSFET es un dispositivo electrónico con buenas características de conmutaci&oa..
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especificaciones
Disipación total del dispositivo (Pd): 150 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 100 V
Te..
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Caracteristicas:
-Tipo FET: Canal N
-Tecnología: MOSFET (óxido de metal)
-Voltaje de drenaje a fuent..
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MOSFET, N, 400V, 10A, TO-220
* Polaridad del transistor:N
* Max Voltage Vds:400V
* resistencia activ..
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Polaridad del transistor: Canal P
Intensidad drenador continua Id: -6.8 A
Voltaje de drenaje- fuente..
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El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxi..
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Fabricante INTERSIL
Tipo de transistor N-MOSFET
Polarización unipolar
Voltaje de la fuente de drenaj..
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Descripcion
-IRFP360 Power Mosfet Transistor 400V 23A IRFP360PBF
..
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Voltaje máximo de fuente de drenaje (V) 500
Voltaje máximo de fuente de puerta (V) ±30
Corriente de ..
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Mosfet HEXFET® de Potencia
canal N
VDSS = 60V
RDS(on) = 200mΩ
ID = 10A
PD=43 v
VGS=± 20 V.
Empaqu..
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ipo de Canal N
Corriente Máxima Continua de Drenaje 17 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente 55 V
Resiste..
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Caracteristicas:
Número de Parte: IRG4BC20KD
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transist..
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Tipo IGBT TNP
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 600V
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic ..
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Caracteristicas:
Número de Parte: IRGB20B60PD1
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N-..
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Caracteristicas:
Modelo: J13007
encapsulado: TO-220
voltaje colector base:700V
voltaje colector emi..
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